[发明专利]疏水性基板及其制备方法、电子屏幕和电子器件在审
| 申请号: | 202010039729.5 | 申请日: | 2020-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN111233342A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
| 发明(设计)人: | 徐雪珠;徐卓凡;唐彪;周国富 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/32 | 分类号: | C03C17/32;C03C17/42;C08F120/24;C08F2/50;G09F9/00;G02B1/18 |
| 代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 刘方 |
| 地址: | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 疏水 性基板 及其 制备 方法 电子 屏幕 电子器件 | ||
本发明公开了一种疏水性基板及其制备方法、电子屏幕和电子器件,疏水性基板的制备方法,包括以下步骤:取基板,对所述基板进行羟基处理使得所述基板的表面接枝羟基,然后置于惰性气体中加入引发剂,所述引发剂能够与所述羟基发生酰化反应,得到酰化基板;取催化剂、溶剂和甲基丙烯酸氟代烷酯单体形成混合溶液;取所述混合溶液涂覆至所述酰化基板上,进行光照处理使得所述甲基丙烯酸氟代烷酯单体聚合。本发明利用原子转移自由基聚合(ATRP)反应,在基板上接枝疏水聚合物层,反应条件温和、操作简单、制备时间短,制得的疏水性基板在电子屏幕等产品领域中具有重大的应用价值。
技术领域
本发明涉及基板处理技术领域,尤其是涉及一种疏水性基板及其制备方法、电子屏幕和电子器件。
背景技术
近年来,电子产品在生活中的应用日益广泛,以智能手机为代表,屏幕的触摸面板化正在加快。因而往往需要在触摸屏表面喷涂抗污剂,该抗污剂需要具有优异的热稳定性能、疏水疏油性能、耐化学品性能等系列理化特性。
现在大多数应用在屏幕上增加疏水性的技术是表面涂覆类的表面工程技术。这一类表面工程技术主要包括电镀、电刷镀、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积等。现在常用的表面涂敷材料是聚对二甲苯(Poly-p-xylene),商品名帕里纶(Parylene),是通过化学气相沉积法制备的具有聚二甲苯结构的聚合物薄膜的统称,它有极其优良的电性能、耐热性、耐候性和化学稳定性,主要有Parylene N(聚对二甲苯)、Parylene C(聚对二氯甲苯)和Parylene D(聚二氯对二甲苯)三种。聚对二甲苯通常利用真空热解气相堆积工艺制备,可制成极薄的薄膜,主要用作薄膜和涂层,用于电子元器件的电绝缘介质、保护性涂料和包封材料等。
目前,屏幕表面涂敷防护剂聚对二甲苯薄膜的方式主要采用化学气相沉积法,该方法存在以下缺点:(1)粗糙、无法形成图案的缺点;(2)涂层与基材之间容易发生分层,即使在诸如剥离和牺牲光致抗蚀剂释放的标准MEMS(微机电系统MicroelectromechanicalSystems,缩写为MEMS,是将微电子技术与机械工程融合到一起的一种工业技术,它的操作范围在微米范围内)工艺期间也经常发现聚对二甲苯-C和其它材料之间的严重分层;(3)由于水在聚对二甲苯涂敷层上的接触角相对较小(92.8°),聚对二甲苯不具有很强的疏水性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种疏水性基板及其制备方法、电子屏幕和电子器件,利用该制备方法在基板上化学接枝含氟疏水层,能够提高基板的疏水性,并且疏水层与基板不易脱离,解决了疏水层与基板的贴合问题。
本发明所采取的技术方案是:
本发明的第一方面,提供一种疏水性基板的制备方法,包括以下步骤:
取基板,对所述基板进行羟基处理使得所述基板的表面接枝羟基,然后置于惰性气体中加入引发剂,所述引发剂能够与所述羟基发生酰化反应,反应得到酰化基板;
取催化剂、溶剂和甲基丙烯酸氟代烷酯单体形成混合溶液;
取所述混合溶液涂覆至所述酰化基板上,进行光照处理使得所述甲基丙烯酸氟代烷酯单体聚合。
根据本发明的一些实施例,所述引发剂含有中任一种基团。此类引发剂含有的基团中断开键左侧的基团如卤素、硅烷等能够和基板上接枝的羟基进行酰化反应,从而使得引发剂以共价键的方式与基板连接并固定在基板上,使得后续光聚合反应生成的聚合物层可以与基板完美相贴合,而其他的引发剂如偶氮二异丁腈,只是在溶液中分解生成自由基,并没有固定在基板上,后续反应形成的聚合物也溶解在溶液中或者吸附粘粘在基底上,并没有通过化学键与基板相连接,并不牢固,聚合物层与基板之间容易发生分层。
根据本发明的一些实施例,所述引发剂包括2-溴异丁酰溴、2-溴丙酰溴、4-氯甲基苯基三氯硅烷中的任一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司,未经华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010039729.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于空间在轨补加的无刷电机反电势采集换相系统
- 下一篇:裂片机





