[发明专利]光电器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010039523.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111211229A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈金祥 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种光电器件，其特征在于，包括：
第一电极；
阴极修饰层，设于所述第一电极上，其材质包括氧化铟镓锌；
功能层，设于所述阴极修饰层上；以及
第二电极，设于所述功能层上。
2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阴极修饰层的载流子迁移率大于10cm2/(V·s)。
3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述阴极修饰层的最低未占有分子轨道能级为-4.5eV。
4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，还包括：
空穴传输层，设于所述功能层和所述第二电极之间。
5.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述功能层为有机发光层。
6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述功能层为活性层，所述活性层为具有电子给体材料和电子受体材料的本体异质结结构的薄膜层。
7.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一电极的材质包括氧化铟锡或者氧化铟锌。
8.一种光电器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
制作第一电极；
在所述第一电极上制作阴极修饰层；
在所述阴极修饰层上制作功能层；
在所述功能层上制作第二电极。
9.如权利要求8所述的光电器件的制作方法，其特征在于，所述阴极修饰层通过使用磁控溅射方式或者溶胶凝胶方法制作。
10.如权利要求8所述的光电器件的制作方法，其特征在于，在所述阴极修饰层上制作功能层步骤之后还包括：
在所述功能层上制作空穴传输层；
其中，在所述空穴传输层上制作所述第二电极。
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