[发明专利]基板处理装置的清洗方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 202010038164.9 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111463096A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 竹泽由裕;铃木大介;林宽之;藤田成树;宫原达也;有贺纯史;菊地晋哉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 清洗 方法 | ||
本公开涉及基板处理装置的清洗方法和基板处理装置，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，且能够抑制氟残留于处理容器的内部。所述清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置。
背景技术
在专利文献1中公开了如下技术：在处理容器的内部配置硅单晶基板，并向处理容器的内部供给氯硅烷气体与氢气的混合气体，由此在硅单晶基板上形成硅膜。处理容器与用于对处理容器的内部进行排气的排气管连接。在形成硅膜时，会在排气管上沉积氯硅烷气体的残留成分。例如，沉积聚氯硅烷以及聚氯硅氧烷等。在上述专利文献1中，向排气管供给三氟化氯气体与氮气的混合气体，以去除排气管的沉积物。
专利文献1：日本特开2001-284264号公报
发明内容
本公开的一个方式提供一种能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀、且能够抑制氟残留于处理容器的内部的技术。
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置的清洗方法包括清洗用于对处理容器的内部进行排气的排气管的工序，清洗所述排气管的工序包括如下工序：在关闭设置于所述排气管的中途的开闭阀的状态下，向所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分供给包括氟的第一排气管清洗气体，由此通过所述第一排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠下游侧的部分的沉积物；以及在打开所述开闭阀的状态下，向所述处理容器的内部供给不包括氟来作为气体构成元素的第二排气管清洗气体，由此通过所述第二排气管清洗气体去除所述排气管的比所述开闭阀靠上游侧的部分的沉积物。
根据本公开的一个方式，能够抑制在向大气开放时排气管被腐蚀，并且能够抑制氟残留于处理容器的内部。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。
图2是表示一个实施方式所涉及的处理单元的图。
图3是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的动作的流程图。
图4是表示一个实施方式所涉及的排气管清洗工序的流程图。
图5是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的清洗条件的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对同一或对应的结构标注同一或对应的标记，有时省略说明。
(基板处理装置)
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的图。基板处理装置1为用于对基板形成膜的成膜装置。基板处理装置1例如具备处理单元10、除害装置50、排气源51、控制部100。
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