[发明专利]一种高精度低应力光学薄膜沉积方法及装置在审

专利信息
申请号: 202010037702.2 申请日: 2020-01-14
公开(公告)号: CN113186529A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 刘浩;赵祖珍;沈洋;刘伟强 申请(专利权)人: 深圳清华大学研究院
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04;C23C14/10;C23C14/34;C23C16/40;C23C16/455
代理公司: 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 代理人: 王庆海
地址: 518057 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 应力 光学薄膜 沉积 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种高精度低应力光学薄膜沉积方法,其特征在于,在薄膜沉积的过程中交替进行离子束溅射沉积和原子层沉积。

2.一种权利要求1所述的高精度低应力光学薄膜沉积方法所用沉积装置,其特征在于,包括真空腔、基片夹具、挡板、靶材、离子源、气路系统、宽光谱监控系统;所述基片夹具、所述挡板、所述靶材在所述真空腔内从上至下依次设置,所述气路系统与所述挡板连通向所述真空腔中提供气体,所述宽光谱监控系统与所述真空腔连接实时监控薄膜沉积的厚度。

3.根据权利要求2所述的沉积装置,其特征在于,所述基片夹具与所述真空腔活动连接,所述基片夹具上设置若干个第一通孔。

4.根据权利要求2所述的沉积装置,其特征在于,所述挡板与所述真空腔转动连接,所述挡板上表面设置气体通道和至少一个第二通孔,所述气体通道上设置若干个气孔。

5.根据权利要求2所述的沉积装置,其特征在于,所述离子源固定在所述真空腔内,所述离子源发射的离子束与所述靶材表面成30°-70°。

6.根据权利要求4所述的一种高精度低应力光学薄膜沉积装置,其特征在于,所述气路系统包括阀门和至少两条气路,所述阀门包括流量阀和控制阀。

7.根据权利要求6所述的一种高精度低应力光学薄膜沉积装置,其特征在于,每条所述气路包括并联设计的第一载体气路和第一前驱体气路;所述第一前驱体气路包括并联设计的第二前驱体气路和第二载体气路。

8.根据权利要求7所述的一种高精度低应力光学薄膜沉积装置,其特征在于,所述气路与所述气孔连接。

9.根据权利要求8所述的一种高精度低应力光学薄膜沉积装置,其特征在于,所述宽光谱监控系统包括光谱探测器、光源和控制模块,所述光源设置于所述挡板下方,所述光谱探测器设置于所述基片夹具上方,所述光谱探测器与所述光源竖直方向对齐,所述光源穿过所述第一通孔和所述第二通孔,向所述光谱探测器发射一定频率的光,所述控制模块与所述光源和所述光谱探测器分别连接。

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