[发明专利]像素电路、阵列基板、面板、装置及驱动方法在审
申请号: | 202010037450.3 | 申请日: | 2020-01-14 |
公开(公告)号: | CN111223460A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 邓鸣;孙志华;刘文亮;梁利生;王凯;张秀琴 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 阵列 面板 装置 驱动 方法 | ||
本申请公开了一种像素电路、阵列基板、面板、装置及驱动方法,其中,像素电路,包括栅线、数据线、第一开关管、存储电容及像素电容,所述第一开关管的控制极与栅线连接,第一开关管的第一极与数据线连接,第一开关管的第二极分别与存储电容的第一极,以及像素电容的第一极连接,还包括参考电压线和参考电压输入控制单元,参考电压输入控制单元用于在栅线信号起效时,将参考电压线上的参考电压输入至存储电容的第二极和像素电容的第二极。上述方案无需对驱动电压进行调节,只需调节参考电压的大小,因此可以实现高灰阶的调试。此外,每个像素的参考电压是可以单独控制的,因此实现了像素级的调试,使得显示画面进一步提升。
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域,具体涉及一种像素电路、阵列基板、面板、装置及驱动方法。
背景技术
在TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display;薄膜晶体管液晶显示器)领域里面,提升产品充电率一直是永无止境的需求,特别在是高分辨率、大尺寸产品领域,产品对充电要求极其苛刻。
对于一个TFT-LCD产品,在其设计阶段,会设定一个参考电压Vcom,在显示画面时,源极驱动IC(Integrated Circuit;集成电路) 会给各像素输入驱动电压,驱动电压与参考电压之间形成压差,从而使液晶分子发生偏转以显示预定灰阶的图像。
为了得到流畅的动态画面,解决拖尾拖色残影的现象,需要缩短液晶的响应时间,可以通过提高驱动电压的方式来增大驱动电压与参考电压之间的压差,以缩短液晶的响应时间,例如,目前一般采用Line OD(Line Over Drive;行过充驱动)来增大驱动电压,以缩短液晶的响应时间。由于驱动电压与灰阶是有对应关系的,灰阶越高对应的驱动电压越大,然而,驱动电压的增大幅度是受限的,其不能无限制的增大,因此该方法无法对高灰阶进行有效调试,因此,画质仍存在显示问题。
发明内容
本申请期望提供一种像素电路、阵列基板、面板、装置及驱动方法,用于解决现有技术中无法对高灰度进行调试,画质存在显示问题。
第一方面,本发明提供一种像素电路,包括栅线、数据线、第一开关管、存储电容及像素电容,所述第一开关管的控制极与所述栅线连接,所述第一开关管的第一极与所述数据线连接,所述第一开关管的第二极分别与所述存储电容的第一极,以及所述像素电容的第一极连接,还包括参考电压线和参考电压输入控制单元,所述参考电压输入控制单元用于在栅线信号起效时,将所述参考电压线上的参考电压输入至所述存储电容的第二极和所述像素电容的第二极。
作为可实现方式,所述参考电压输入控制单元包括第二开关管,所述第二开关管的控制极与所述栅线连接,所述第二开关管的第一极分别与所述存储电容的第二极,以及所述像素电容的第二极连接,所述第二开关管的第二极与所述参考电压线连接。
作为可实现方式,所述第一开关管和所述第二开关管分别为薄膜晶体管或场效应管。
第二方面,本发明提供一种阵列基板,包括阵列排布的像素结构,所述像素结构包括上述的像素电路,各行所述像素结构共用一条所述栅线,各列所述像素结构共用一条所述数据线及一条所述参考电压线。
作为可实现方式,所述数据线与所述参考电压线平行设置,且分置于各对应像素结构的两侧。
第三方面,本发明提供一种显示面板,包括上述的阵列基板。
第四方面,本发明提供一种显示装置,包括周边电路及权利要求 5所述的显示面板;
所述周边电路用于根据目标行各像素当前帧灰度值及上一帧各像素灰度值,从预先构建的参考电压查找表中,确定目标行当前帧各像素一一对应的参考电压值,以确定的所述参考电压值向目标行各像素充入对应的参考电压;所述参考电压查找表包括当前帧像素灰度值和上一帧像素灰度值的不同组合与对应的参考电压值之间的对应关系。
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