[发明专利]一种半导体晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 202010034702.7 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113192819A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 卢文胜 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶圆减薄 方法 | ||
1.一种半导体晶圆减薄方法，其特征在于，包括：
对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；
对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；
用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀，腐蚀的深度为第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述硫酸、氢氟酸和草酸的体积比为：(6～8)：(1～3)：(0.5～1.5)。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述硫酸、氢氟酸和草酸的体积比为：7：2：1。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，具体为：
用砂轮以向下进给速率4～6μm/s且砂轮转速为3500-45000rpm的磨削方式，对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，进行粗磨时，砂轮的向下进给速率5μm/s，且砂轮转速为40000rpm。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，具体为：
用砂轮以向下进给速率7～9μm/s且砂轮转速为4500-55000rpm的磨削方式，对半导体晶圆的待减薄的表面进行精磨。
7.根据权利要求6所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，进行精磨时，砂轮的向下进给速率8μm/s，且砂轮转速为50000rpm。
8.根据权利要求1所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述腐蚀液的温度为0～-15℃，对所述半导体晶圆的腐蚀时间为3～5分钟。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体晶圆减薄方法，其特征在于，所述第一深度为1mm，所述第二深度为200um，所述第三深度为50-100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
