[发明专利]薄膜型白光LED芯片

权利要求书

1.一种薄膜型白光LED芯片，其特征在于，包括依次设置的透明衬底、第一透明电极、发光结构、第二透明电极及第一荧光粉层，其中，所述发光结构包括发光层及设于其两侧的电子注入层及空穴注入层，且所述电子注入层与所述第二透明电极的总厚度或所述空穴注入层与所述第二透明电极的总厚度小于所述发光层的一个发光波长长度。

2.如权利要求1所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述发光层包括发光波长在200nm-430nm的紫光发光材料或发光波长在430nm-500nm的蓝光发光材料。

3.如权利要求2所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括依次设置的所述空穴注入层、所述发光层及所述电子注入层，所述电子注入层与所述第二透明电极邻接，且所述电子注入层的厚度小于200nm，所述空穴注入层的厚度小于1000nm。

4.如权利要求2所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括依次设置的所述电子注入层、所述发光层及所述空穴注入层，所述空穴注入层与所述第二透明电极邻接，且所述空穴注入层的厚度小于200nm，所述电子注入层的厚度小于1000nm。

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述电子注入层、所述空穴注入层的材料均为有机聚合物和小分子、金属氧化物、无机半导体材料、有机无机复合物中的至少一种，所述发光层的光材料为有机发光材料、量子点和纳米晶材料、无机发光材料、有机无机杂化发光材料中的至少一种。

6.如权利要求1所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述第二透明电极的厚度小于100nm，所述第一透明电极的厚度小于1000nm，且所述第二透明电极、所述第一透明电极的材料均为超薄金属膜、图案化金属膜、金属纳米线、金属纳米棒、金属纳米颗粒、有机聚合物及小分子、金属氧化物、有机无机复合物中的至少一种。

7.如权利要求1所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，还包括第二荧光粉层，所述第二荧光粉层设于所述透明衬底的远离所述第一透明电极的一侧，且所述第一荧光粉层、所述第二荧光粉层的厚度均小于1mm。

8.如权利要求7所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述第一荧光粉层、所述第二荧光粉层均包括发光波段在430nm-500nm的蓝光荧光材料、发光波段在500nm-560nm的绿光荧光材料、发光波段在560nm-600nm的黄光荧光材料、发光波段在600nm-780nm的红光荧光材料中的至少一种。

9.如权利要求7所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述第一荧光粉层、所述第二荧光粉层的荧光材料均为有机荧光材料、量子点和纳米晶材料、无机荧光材料、有机无机杂化荧光材料中的至少一种。

10.如权利要求7-9任一项所述的薄膜型白光LED芯片，其特征在于，所述第一透明电极、所述发光层、所述电子注入层、所述及空穴注入层、所述第二透明电极、所述第一荧光粉层及所述第二荧光粉层均可通过气相沉积、溅射、旋涂、刮涂、蒸镀、喷墨打印、滴涂、卷对卷印刷、狭缝涂布、丝网印刷、喷涂或机械印压的方式成型。