[发明专利]一种半导体热处理方法

说明书

本发明公开了一种半导体热处理方法，其包括：将待冷却的半导体放入密闭的热处理炉中；对所述热处理炉进行抽真空；使所述热处理炉的炉内的真空度在预设数值范围内；让所述热处理炉的炉内温度稳定在110‑130℃，并将所述半导体放置在炉内预定时间；使所述热处理炉的炉内气压恢复至正常气压值，并从炉内取出所述半导体冷却至室温。本发明能够有效消除半导体在冷却过程中的热应力现象，从而避免影响到半导体的加工质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体热处理方法。

背景技术

在半导体(例如硅片)切割加工过程中，切割消耗的能量几乎全部转化为热能，根据切割条件的不同，切削热约有70％进入半导体，20％进入切割刀具，其余的则进入碎屑。通常，极大的摩擦会使半导体表面温度瞬间上升，形成瞬时热聚集现象。加工完半导体后，一般会采用气体对流散热的方式对半导体进行冷却。但是采用这种冷却方式，在冷却后会造成半导体表面和内部的巨大的温度差，形成热应力。如果热应力超过材料的强度，会使半导体产生裂纹，从而降低半导体的寿命。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种半导体热处理方法，其能够有效消除半导体在冷却过程中的热应力现象，从而避免影响到半导体的加工质量。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供了一种半导体热处理方法，其包括：

将待冷却的半导体放入密闭的热处理炉中；

对所述热处理炉进行抽真空；

使所述热处理炉的炉内的真空度在预设数值范围内；

让所述热处理炉的炉内温度稳定在110-130℃，并将所述半导体放置在炉内预定时间；

使所述热处理炉的炉内气压恢复至正常气压值，并从炉内取出所述半导体冷却至室温。

作为上述方案的改进，所述使所述热处理炉的炉内的真空度在预设数值范围内，具体为：

向所述热处理炉通入惰性气体，并使得所述热处理炉的炉内的真空度在预设数值范围内。

作为上述方案的改进，所述对所述热处理炉进行抽真空时，使得所述热处理炉的炉内的真空度为-0.75mpa～-0.5mpa。

作为上述方案的改进，所述预设数值范围为：-0.1～-0.05mpa。

作为上述方案的改进，所述预定时间为：50-65分钟。

作为上述方案的改进，向所述热处理炉通入惰性气体时，通入惰性气体的流量为40-60slpm。

作为上述方案的改进，通入惰性气体的流量为50slpm。

作为上述方案的改进，在向所述热处理炉通入惰性气体后，让所述热处理炉的炉内温度稳定在120℃。

作为上述方案的改进，所述惰性气体为氩气。

作为上述方案的改进，所述从炉内取出所述半导体冷却至室温，具体为：

将所述半导体从所述热处理炉内取出，并放置到氮气柜内静置至室温，最后取出。

作为上述方案的改进，所述半导体为硅片。