[发明专利]检查装置

说明书

提供检查装置，其能够利用微波适当地对被加工物进行检查。该检查装置对被加工物照射微波，并且对微波的照射位置照射激光光线而接收在通过因光激发产生的载流子而提高了反射率的该照射位置发生了反射的微波，测量载流子寿命，从而检查被加工物的特性。检查装置包含：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；微波照射单元，其对卡盘工作台所保持的被加工物照射微波；微波接收单元，其接收在被加工物上发生了反射的微波；以及激光光线照射单元，其对被照射了微波的照射位置照射激光光线。

技术领域

本发明涉及对被加工物的特性进行检查的检查装置。

背景技术

晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件，该晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而精加工成规定的厚度之后，通过切削装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

作为提高上述器件芯片的品质的方法，已知如下的方法：对晶片的背面进行磨削而使基于该磨削的应变层残留而将存在于晶片的内部的铜等金属离子的移动封住，从而产生去疵效果(例如参照专利文献1)。

另外，还已知如下的方法：在对半导体晶片的物理特性进行检查时，向作为检查对象的半导体晶片的规定的照射位置照射微波，并且对该照射位置照射激光光线而接收在根据因光激发产生的载流子(光电子、空穴对)的密度而提高了反射率的该照射位置发生了反射的微波，测量该反射率衰减直至消失的时间即所谓的载流子寿命，从而对半导体晶片的物理特性进行评价(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2005-317846号公报

专利文献2：日本特开2005-142359号公报

在专利文献2所述的技术中，通过载流子寿命的长度而对半导体晶片的物理特性进行评价。但是，载流子寿命会受到被加工物的材质、被加工物所含的异物(重金属等)层的种类以及照射至被加工物的激光光线的波长的影响，因此为了利用微波并根据载流子寿命的长度而实施物理特性的适当的评价，需要根据被加工物的材质、被加工物的异物(重金属等)层的种类而适当地选择所照射的激光光线的波长，与此相对，以往存在难以实施与被加工物对应的适当波长下的检查的问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供检查装置，其能够利用微波适当地对被加工物进行检查。

根据本发明，提供检查装置，其对被加工物的特性进行检查，其中，该检查装置具有：卡盘工作台，其对被加工物进行保持；微波照射单元，其对该卡盘工作台所保持的被加工物照射微波；微波接收单元，其接收从该被加工物反射的微波；以及激光光线照射单元，其对被照射了微波的该被加工物的照射位置照射激光光线，该激光光线照射单元包含能够选择所要照射的激光光线的波长的波长选择部，从该微波照射单元对该被加工物照射微波，并且从该激光光线照射单元对该被加工物上的该微波的照射位置照射激光光线，利用该微波接收单元接收在通过因光激发产生的载流子而提高了反射率的该照射位置发生反射的微波，测量载流子寿命，从而检查该被加工物的特性。

优选该激光光线照射单元包含：作为光源的白色光源；以及作为该波长选择部的多种带通滤波器，它们从该白色光源中选择性地抽出多种波长的光而进行照射。优选该激光光线照射单元包含波长可变激光生成单元。优选该白色光源从由SLD光源、ASE光源、超连续谱光源、LED光源、卤素光源、氙光源、汞光源以及金属卤化物光源组成的组中进行选择。

根据本发明的检查装置，该激光光线照射单元包含能够选择激光光线的波长的波长选择部，因此能够根据被加工物而适当地对被加工物的特性进行检查。

附图说明

图1是检查装置的整体立体图。

图2是示出将被加工物载置于保持单元的方式的立体图。

图3是示出图1所记载的检查装置的光学系统、微波照射单元以及微波接收单元的框图。