[发明专利]芯片外驱动器及动态随机存取存储器在审

专利信息
申请号: 202010030559.4 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN112216322A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 吴昌庭 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C5/14
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 驱动器 动态 随机存取存储器
【说明书】:

本公开提供一种芯片外驱动器及动态随机存取存储器。该芯片外驱动器经配置以提供一驱动电流至一输出垫。该芯片外驱动器操作在一电源域中。该电源域工作在一最小系统电压和一最大系统电压下。该芯片外驱动器包括一推挽电路。该推挽电路耦接至该输出垫,并包括一电流源电路。该电流源电路包括一压控电流源。该压控电流源经配置以因应于一操作电压提供相对于该输出垫的一阻抗。该操作电压的范围在该最小系统电压和该最大系统电压之间。该操作电压的范围包括该最小系统电压及该最大系统电压。

技术领域

本公开主张2019年7月9日申请的美国正式申请案第16/506,320号的优先权及益处,该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开涉及一种芯片外驱动器(off-chip driver,OCD)和相关联的动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM),特别涉及一种包括电流源的芯片外驱动器。

背景技术

半导体存储器元件可以是一存储元件,所述存储元件视需要存储数据或读取存储的数据。半导体存储器元件通常可以分类为随机存取存储器(random access memory,RAM)或只读存储器(read only memory,ROM)。

随机存取存储器通常是易失性存储器元件,其在没有供电的情况下会遗失存储的数据。只读存储器通常是非易失性存储器元件,即使是在没有供电的情况下也能够保留存储的数据。随机存取存储器的类型包括动态随机存取存储器(dynamic random accessmemory,DRAM)、静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)及诸如此类。只读存储器的类型包括可编程只读存储器(programmable ROM,PROM)、可抹除可编程只读存储器(erasable programmable ROM,EPROM)、快闪存储器(Flash),或可电除可编程只读存储器(electrically erasable programmable ROM,EEPROM)等。

半导体存储器元件通常是使用输出驱动器来将数据输出到外部电路。输出驱动器通常通过输出垫耦接至外部电路,而输出垫通常是公知的元件,能使用各种设计来实现。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术,并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的,不构成本公开的现有技术,且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开提供一种芯片外驱动器。该芯片外驱动器经配置以提供一驱动电流至一输出垫。该芯片外驱动器操作在一电源域中。该电源域工作在一最小系统电压和一最大系统电压下。该芯片外驱动器包括一推挽电路。该推挽电路耦接至该输出垫,并包括一电流源电路。该电流源电路包括一压控电流源。该压控电流源经配置以因应于一操作电压提供相对于该输出垫的一阻抗。该操作电压的范围在该最小系统电压和该最大系统电压之间。该操作电压的范围包括该最小系统电压及该最大系统电压。

在一些实施例中,该推挽电路的数量是一个。

在一些实施例中,该压控电流源是一上拉式压控电流源,其中该推挽电路包括一上拉电路以及一下拉电路。该上拉电路耦接至该输出垫,其中该上拉电路经配置以接收该最大系统电压,该上拉电路包括该上拉式压控电流源。该下拉电路耦接至该输出垫,其中该下拉电路经配置以接收该最小系统电压,该下拉电路包括一下拉式压控电流源,该下拉式压控电流源的组态方式相同于该上拉式压控电流源的组态方式。

在一些实施例中,当该上拉电路工作时,该上拉电路的该上拉式压控电流源从一第一电压节点提供一输出电流至该输出垫,该第一电压节点接收该最大系统电压,以及其中当该下拉电路工作时,该下拉电路的该下拉式压控电流源从该输出垫提供该输出电流至一第二电压节点,该第二电压节点接收该最小系统电压。

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