[发明专利]天线阵列的去耦方法及具有新型去耦结构的天线阵列在审
| 申请号： | 202010029954.0 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN111129769A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 赵鲁豫;刘锋;宋波 | 申请（专利权）人： | 西安朗普达通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/52 | 分类号： | H01Q1/52;H01Q1/36;H01Q15/00;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 710003 陕西省西安市西咸新区沣*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 天线 阵列 方法 具有 新型 结构 | ||
1.一种天线阵列的去耦方法，其特征在于，包括：
S01：在天线阵列上方设置有超表面覆层，所述超表面覆层覆盖于天线阵列上方；
S02：通过调节超表面覆层的介电常数，消除天线单元间的耦合。
2.根据权利要求1所述的天线阵列的去耦方法，其特征在于，所述步骤S02中，通过调节超表面覆层的单元结构的尺寸和间距调节超表面覆层的介电常数。
3.根据权利要求1所述的天线阵列的去耦方法，其特征在于，所述步骤S02中消除天线单元间的耦合时，还调节超表面覆层与阵列天线的高度。
4.根据权利要求1所述的天线阵列的去耦方法，其特征在于，所述超表面覆层包括介质基板和设置于介质基板的单元结构，所述单元结构周期性排列于介质基板。
5.根据权利要求1所述的天线阵列的去耦方法，其特征在于，所述超表面覆层采用多层结构，所述多层结构包括在下层超表面覆层上覆盖有至少一层上层超表面覆层，所述上层超表面包括第二介质基板和设置于第二介质基板的第二单元结构；所述上层超表面覆层通过介质支撑柱支撑，覆盖于下层超表面覆层上方。
6.根据权利要求5所述的天线阵列的去耦方法，其特征在于，所述步骤S02中消除天线单元间的耦合时，调整每一层超表面覆层的单元结构的尺寸和间距，底层覆层与阵列天线的高度，每一层超表面覆层间的高度。
7.一种具有新型去耦结构的天线阵列，其特征在于，在天线阵列上方设置有超表面覆层，所述超表面覆层通过介质支撑柱支撑，覆盖于天线阵列上方，所述超表面覆层包括介质基板和设置于介质基板的单元结构，所述单元结构用于调节介电常数，所述超表面覆层的等效介电常数为15-45。
8.根据权利要求7所述的具有新型去耦结构的天线阵列，其特征在于，所述超表面覆层用于消除天线单元间的耦合。
9.根据权利要求7所述的具有新型去耦结构的天线阵列，其特征在于，所述单元结构周期性排列于介质基板。
10.根据权利要求7所述的具有新型去耦结构的天线阵列，其特征在于，在下层超表面覆层上覆盖有至少一层上层超表面覆层，所述上层超表面包括第二介质基板和设置于第二介质基板的第二单元结构；所述上层超表面覆层通过介质支撑柱支撑，覆盖于下层超表面覆层上方。
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