[发明专利]介电常数的测试方法及其测试装置、相关设备

权利要求书

1.一种介电常数的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

提供待测量工件，所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；

获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度；

获取所述第一待测量层的第一介电常数；

根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型；以及

根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”包括：

提供基体；

在所述基体的一侧沉积第一待测量层；

获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；以及

在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层。

3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：其中，K为所述第二介电常数，ε₁为所述第一介电常数，t₂为所述第二光学厚度，t₁为所述第一光学厚度，EOT₂为所述第二等效氧化层厚度，EOT₁为所述第一等效氧化层厚度。

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”之后，还包括：

根据所述第一光学厚度建立转换模型；

根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度；

“根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型”包括：

根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。

5.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：其中，K为所述第二介电常数，ε₁为所述第一介电常数，t₂为所述第二光学厚度，t₃为所述第三光学厚度，EOT₂为所述第二等效氧化层厚度，EOT₁为所述第一等效氧化层厚度。

6.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述基体包括硅基体，所述第一待测量层包括氧化硅层，且所述第一待测量层的所述第一介电常数为3.9。

7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层包括氧化铝层，“在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层”包括：

采用原子层沉积法在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层；在沉积的过程中，向所述第一待测量层背离所述基体的一侧通入混合气体，其中，所述混合气体包括三甲胺或氯化铝中的任意一种与臭氧。