[发明专利]电子器件在审
| 申请号： | 202010029159.1 | 申请日： | 2020-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN111696911A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | M·阿加姆;J·皮杰卡克;J·C·J·让森斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/761;H01L21/762;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
1.一种电子器件，所述电子器件包括：
衬底，所述衬底限定沟槽；
第一电子部件，所述第一电子部件在所述衬底的第一有源区内，其中，所述第一有源区在所述沟槽外部；
隔离结构，所述隔离结构在所述沟槽内并邻近所述第一电子部件；和
第二电子部件，所述第二电子部件在所述隔离结构内。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述隔离结构包括：
半导体主体，所述半导体主体包括位于所述第二电子部件下方的至少一部分；和
绝缘层，所述绝缘层沿着所述沟槽的侧面和底部布置，并将所述半导体主体与所述衬底电隔离。
3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述第一有源区包括单晶半导体材料，并且所述半导体主体和所述第二电子部件包括多晶半导体材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，还包括在所述衬底的第二有源区内的第三电子部件，其中，所述隔离结构设置在所述第一和第三电子部件之间。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其中：
所述第一电子部件是功率晶体管或逻辑晶体管，并且
所述第三电子部件是所述功率晶体管或所述逻辑晶体管中的另一种。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，所述第一电子部件是晶体管，并且所述第二电子部件是电阻器或二极管，其中，所述第一电子部件耦接到所述第二电子部件。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件，其中，所述第一电子部件是第一电阻器，所述第二电子部件是第二电阻器，并且所述第一和第二电阻器并联连接。
8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述第一电阻器具有包括单晶半导体材料的主体，并且所述第二电阻器具有包括多晶半导体材料的主体。
9.一种电子器件，所述电子器件包括：
衬底，所述衬底限定沟槽；
半导体主体，所述半导体主体在所述沟槽内，其中，所述半导体主体具有至少0.05欧姆-厘米的电阻率，并且与所述衬底电隔离；和
二极管，所述二极管在所述半导体主体内，
其中，所述半导体主体和所述二极管包括多晶半导体材料。
10.一种电子器件，所述电子器件包括：
衬底，所述衬底包括单晶半导体材料并限定深度至少为5微米的沟槽；
半导体主体，所述半导体主体在所述沟槽内，其中，所述半导体主体包括多晶半导体材料，具有上表面，具有至少0.05欧姆-厘米的电阻率，并且与所述衬底电隔离；和
第一电子部件，所述第一电子部件在所述半导体主体的上表面内并沿着所述半导体主体的所述上表面，其中，所述第一电子部件与所述半导体主体的底部间隔开。
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