[发明专利]一种WSe2

权利要求书

1.一种WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将硼氢化钠和硒粉溶解于溶剂中进行反应；

S2、在S1反应后的混合液中加入钨酸钠继续反应得到WSe₂纳米花。

2.根据权利要求1所述的WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于，所述硼氢化钠与硒粉在所述溶剂中的初始浓度均为0.05-0.15moL/L。

3.根据权利要求1所述的WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂为二甲基甲酰胺或水合肼。

4.根据权利要求1所述的WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于，所述硼氢化钠与硒粉的反应时间为2-10h。

5.根据权利要求1所述的WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于，所述钨酸钠的添加量为使钨酸钠在所述混合液中的初始浓度为0.01-0.1moL/L。

6.根据权利要求1所述的WSe₂纳米花材料的制备方法，其特征在于，所述钨酸钠与所述混合液的反应温度为60-100℃，反应时间为8-16h，反应容器为反应釜。

7.一种电极，其特征在于，所述电极包括铜箔和涂覆于铜箔上的涂层，所述涂层通过将权利要求1-6任一所述制备的WSe₂纳米花与导电剂、聚偏二氟乙烯进行混合并溶解于氮甲基吡咯烷酮中制备而成。

8.根据权利要求7所述的电极，其特征在于，所述WSe₂纳米花与导电剂、聚偏二氟乙烯的质量比为8:1:1。

9.根据权利要求7所述的电极，其特征在于，所述真空干燥的真空度为-0.06MPa，温度为80-100℃，时间为12-24h。

10.一种镁离子电池，其特征在于，所述镁离子电池的工作电极为权利要求7-9任一所述电极。