[发明专利]处理装置在审
| 申请号: | 202010027599.3 | 申请日: | 2020-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN111430269A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 门部雅人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本发明提供一种处理装置。提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。本公开的一方案的处理装置包括:处理部,其包含:多个加工模块,其在第1室相连地配置;以及装载模块,其配置于所述第1室,用于收容载体,该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板;以及多个泵单元,其在与所述第1室相邻的第2室,与所述多个加工模块一一对应地配置,所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。
技术领域
本公开涉及一种处理装置。
背景技术
已知有一种处理系统,通过与洁净室等隔离地设置工具箱、泵箱,从而谋求洁净度较高的室的有效利用,而能够降低处理成本(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平10-97962号公报
发明内容
本公开提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。
本公开的一技术方案的处理装置包括:处理部,其包含:多个加工模块,其在第1室相连地配置;以及装载模块,其配置于所述第1室,用于收容载体,该载体收纳利用所述多个加工模块处理的基板;以及多个泵单元,其在与所述第1室相邻的第2室,与所述多个加工模块一一对应地配置,所述多个泵单元的设置面积为所述处理部的设置面积以下。
根据本公开,能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积。
附图说明
图1是表示第1实施方式的处理装置的结构例的立体图。
图2是图1的处理装置的侧视图。
图3是图1的处理装置的俯视图(1)。
图4是图1的处理装置的俯视图(2)。
图5是用于说明图1的处理装置的加工模块的概略图。
图6是表示第2实施方式的处理装置的结构例的立体图。
图7是图6的处理装置的侧视图。
图8是图6的处理装置的俯视图。
具体实施方式
以下,一边参照所附的附图,一边对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所附的全部附图中,对相同或对应的构件或零部件标注相同或对应的参照附图标记,并省略重复的说明。
[第1实施方式]
说明第1实施方式的处理装置。图1是表示第1实施方式的处理装置的结构例的立体图。图2是图1的处理装置的侧视图。图3以及图4是图1的处理装置的俯视图,图3是在第1室设置的处理部的俯视图,图4是在第1室的下层的第2室设置的排气单元的俯视图。另外,图3的区域M为用于维护的区域、用于送入载体C的区域等。此外,图4的区域M为用于维护泵单元61、连接配管631等的区域。以下将处理装置的左右方向设为X方向、前后方向设为Y方向、高度方向设为Z方向来进行说明。
在图1至图4中,示出了相邻地配置两个处理装置的情况,但处理装置也可以单独地配置一个,也可以配置三个以上。以下以一侧的处理装置为例进行说明。另外,对于另一侧的处理装置,可以与一侧的处理装置1是同样的结构。
如图1至图4所示,处理装置1包括处理部10、排气部60。
处理部10设于第1室R1。第1室R1为例如洁净室。处理部10具有装载模块20、处理模块30。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





