[发明专利]一种用于NandFlash的数据存储方法与系统

说明书

本发明公开了一种用于NandFlash的数据存储方法，包括：获取当前需要写入的数据所对应的写数据页码，其中，写数据页码为前一次写周期结束前所记录的页码数加一；从预设的页状态表中读取并识别当前页码的状态；如果该页为好页，将待写入数据写入当前页内，并进行数据读取校验，在校验错误时，将页状态表中的当前页标记为坏页，并生成新的当前页页码，以从页状态表中进行状态识别，在校验正确时，记录当前写周期的写数据页码，以进入下一个写周期。本发明提升了器件空间利用率和使用寿命，保证每个周期数据正确写入，且确保存储数据的连续性。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其是涉及一种用于NandFlash的数据存储方法与系统。

背景技术

由于NANDFLASH器件的制造工艺和存储原理决定了在生产过程和使用过程中必然会产生坏块，因此，关于坏块管理是NAND应用场景中所必需的策略。一方面，在芯片出厂时需要识别出坏块，并进行标识；同时，在使用过程中所产生的坏块也必须要隔离出来，否则继续使用会导致潜在数据丢失的风险。

由于NAND FLASH包括多个块、以及每个块中又包括多个页。其中，块结构是擦除过程的最小操作单元，页结构是数据写入过程的最小操作单元。在现有技术中，普遍的做法是以块为整体判断该块是否为坏块，整个块中只要有一个页存在无法纠错的位，就判定该块为坏块，该块的所有页都无法继续使用。因而，为了保障存储数据的连续性，需要把现有坏块中好页的数据都搬移到新的块上，但实际上该块中其它页的存储单元都还是正常的，还是可以正常存储数据的，因此，现有的数据存储坏块管理方法存在较大的浪费，空间损耗较大，同时也降低了NAND FLASH器件的使用寿命，同时搬移数据需占用较长时间，影响新数据的存储，不利于数据存储的连续性。

另外，现有技术中所涉及的数据存储坏块管理方法，有些虽然能够以页为单位来进行坏块标记，从而达到有效提升NANDFLASH器件的空间利用率和使用寿命的目的，但无法针对涉及反复擦写操作的使用过程进行实时的坏页标记，其仍然是关于出厂时的坏块回收方案，对于数据存储时的连续性反复读写造成的坏块无法进行标记、数据写入时遇到坏块的连续性无法保证。

因此，针对以上缺陷，本发明急需提供一种能够针对出厂和使用中的坏块进行实时标记，保证数据存储的连续性，同时减小NANDFLASH器件的空间损失，提高NANDFLASH器件的使用寿命。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种能够准确检测视频播放状态的方法，并实时对该状态进行控制，及时根据播放状态给予正确的重新连接控制信号，以保证偶发异常后视频能够正常播放。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种用于NandFlash的数据存储方法，包括：步骤一、获取当前需要写入的数据所对应的写数据页码，其中，所述写数据页码为前一次写周期结束前所记录的页码数加一；步骤二、从预设的页状态表中读取并识别当前页码的状态；步骤三、如果该页为好页，将待写入数据写入当前页内，并进行数据读取校验，在校验错误时，将所述页状态表中的当前页标记为坏页，并生成新的当前页页码，从而返回所述步骤二，在校验正确时，记录当前写周期的所述写数据页码，以进入下一个写周期。

优选地，所述方法还包括：如果当前页为坏页，则获取所述页状态表中下一个邻近好页作为当前页写周期的所述写数据页码，从而执行所述步骤三。

优选地，在将所述页状态表中的当前页标记为坏页步骤之后，还包括：判断是否满足自动跳过坏页条件，若满足，则生成跳过坏页后的页码，并将其作为所述新的当前页页码。

优选地，在判断是否满足自动跳过坏页条件步骤中，进一步包括：若本次写周期内第一次标记坏页，则满足自动跳过坏页条件，将当前页码加一后生成新页码，从而返回所述步骤二；若本次写周期内第二次标记坏页，则生成表示当前周期写操作失败的故障提示，从而结束当前写周期。