[发明专利]磁盘装置

说明书

实施方式的磁盘装置具备：磁盘；写头，其包括辅助部，所述辅助部辅助对于所述磁盘的数据的写入；读头，其从所述磁盘读取数据；以及控制部，其控制所述写头的向所述磁盘的写入和所述读头的从所述磁盘的数据的读取。所述磁盘具有以第1处理方式进行数据的读写的第1区域、和以与第1处理方式不同的第2处理方式进行数据的读写的第2区域。所述控制部在由所述写头对所述磁盘进行数据的写入时，按所述第1区域和所述第2区域来变更所述辅助部的辅助能量。

本申请享受以日本专利申请2019-153794号(申请日：2019年8月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式主要涉及磁盘装置。

背景技术

在磁盘装置中，为了提高记录密度，研究了对磁各向异性高的记录介质施加高频磁场并降低介质矫顽力(Hc)来进行记录的微波辅助磁记录方式(MAMR：MicrowaveAssisted Magnetic Recording)。在该方式所使用的记录头(head)中，层叠有施加高频磁场的振荡层(FGL：FieldGeneration Layer)和自旋注入层(SIL：Spin Injection Layer)等的自旋转矩振荡器(STO：Spin Torque Oscillation)元件搭载于记录磁极间。在这种构成的磁盘装置中，通过对STO元件施加偏置电压，电子从FGL向SIL的方向流通，FGL因由此带来的自旋转矩效应而振荡，记录介质的矫顽力降低，即使用弱记录磁场也能够将记录数据记录于更小的记录元件。

另一方面，作为近年来的提高记录密度的技术，已有叠瓦式记录(SMR：ShingledMagnetic Recording，瓦记录)方式。在传统磁记录(CMR：Conventional MagneticRecording)方式中，使数据的磁道(track)间隔与记录元件的磁宽度(MWW：MagneticWriter Width)相符地进行记录，但是SMR方式由于通过将数据磁道的单侧进行重叠写入来使磁道间隔比MWW窄地写入，从而能够维持记录品质并且进行高密度的记录。然而，由于在记录时磁道扫描被限定于一个方向，因此在来自主机(host)的记录数据需要随机写入的情况下，要在将数据暂时地记录在设置于介质的一部分的CMR能够使用的高速缓存区域并将其整理成能够顺序写入的数据后再进行瓦记录，所以相比于CMR方式，SMR方式记录记录数据较费时。

今后，为了记录容量的提高和写入时间的缩短，可考虑搭载微波辅助磁记录方式、并且具备由SMR方式进行数据记录的区域和由CMR方式进行数据记录的区域这两种区域的磁记录装置。然而，在微波辅助磁记录方式中，CMR方式和SMR方式中向STO元件施加的偏置电压的最优值不同。因此，在以使其适合于某一方记录方式地设定了向STO元件施加的偏置电压的情况下，则不会成为适合于另一方记录方式的偏置电压。另外，这种状态例如也同样出现于采用热辅助磁记录方式的磁盘装置。

发明内容

本发明的实施方式提供一种磁盘装置，其搭载能够辅助数据记录的磁记录头，并且在磁盘上具有基于第1方式的数据记录区域和基于与第1方式不同的第2方式的数据记录区域，在该磁盘装置中，容量更大，可靠性及制造成品率高。

实施方式的磁盘装置具备：磁盘；写(write，写入)头，其包括辅助部，所述辅助部辅助对于所述磁盘的数据的写入；读(read，读取)头，其从所述磁盘读取数据；以及控制部，其控制所述写头的向所述磁盘的写入和所述读头的从所述磁盘的数据的读取。所述磁盘具有以第1处理方式进行数据的读写的第1区域、和以与第1处理方式不同的第2处理方式进行数据的读写的第2区域。所述控制部在由所述写头对所述磁盘进行数据的写入时，按所述第1区域和所述第2区域来变更所述辅助部的辅助能量(assist power)。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的概略构成的一例的图。

图2是表示该实施方式涉及的磁头的截面的一例的图。