[发明专利]灭弧室以及断路器在审

专利信息
申请号: 202010026685.2 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN111128627A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 史胜余;陈百胜;程荣利;李海茭 申请(专利权)人: 德力西电气有限公司
主分类号: H01H73/18 分类号: H01H73/18;H01H71/02
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 李敏
地址: 325604 浙江省温*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 灭弧室 以及 断路器
【权利要求书】:

1.灭弧室,包括底座(1)和设于所述底座(1)上的中座(2)以及盖合于所述底座(1)和所述中座(2)上的盖体(3),所述中座(2)内开设有用于容纳若干灭弧片(4)的容纳腔(21),所述灭弧片(4)垂直于所述底座(1)设置,且相邻的所述灭弧片(4)之间具有灭弧间隙(41),磁支架(5)可延伸至所述灭弧片(4)上,其特征在于:所述中座(2)在远离所述磁支架(5)的一端设有用于封堵所述灭弧间隙(41)的挡弧筋组(22),所述挡弧筋组(22)包括相互交错设置的上层挡弧筋(221)和下层挡弧筋(222),所述上层挡弧筋(221)和所述下层挡弧筋(222)分别遮挡相邻的两个所述灭弧间隙(41)的上部和下部。

2.如权利要求1所述的灭弧室,其特征在于:所述中座(2)上横设有隔板(23),所述隔板(23)平行于所述底座(1)设置,且所述隔板(23)的外缘朝向所述盖体(3)凸设有上缓冲壁(231),所述隔板(23)、所述盖体(3)以及所述上缓冲壁(231)之间围合形成有上缓冲区(24),所述灭弧间隙(41)的上部可与所述上缓冲区(24)相连通;

所述隔板(23)的外缘朝向所述底座(1)的一侧凸设有下缓冲壁(232),所述隔板(23)、所述底座(1)和所述下缓冲壁(232)之间形成有下缓冲区(25),所述灭弧间隙(41)的下部可与所述下缓冲区(25)相连通;

靠近所述磁支架(5)的一侧的所述下层挡弧筋(222)具有缺口,且靠近所述磁支架(5)的一侧的所述灭弧间隙(41)的下部未封堵。

3.如权利要求2所述的灭弧室,其特征在于:所述上缓冲区(24)在远离所述磁支架(5)的一侧开设有第一出气口(233),所述下缓冲区(25)在远离所述磁支架(5)的一侧开设有第二出气口(234)。

4.如权利要求2所述的灭弧室,其特征在于:所述上层挡弧筋(221)凸设于所述隔板(23)远离所述底座(1)的一侧,所述上层挡弧筋(221)包括若干间隔设置的上层挡块,每一所述上层挡块均对应一所述灭弧间隙(41)的上方;所述下层挡弧筋(222)凸设于所述隔板(23)靠近所述底座(1)的一侧,所述下层挡弧筋(222)包括若干间隔设置的下层挡块,每一所述下层挡块均对应一所述灭弧间隙(41)的下方;所述上层挡块和所述下层挡块交错设置。

5.如权利要求4所述的灭弧室,其特征在于:位于远离所述磁支架(5)的一端的所述上层挡块的一侧设有拐角板(31),所述拐角板(31)封堵最远离所述磁支架(5)的一端的所述灭弧间隙(41)。

6.如权利要求3所述的灭弧室,其特征在于:位于最靠近所述磁支架(5)的一侧的所述灭弧片(4)和所述中座(2)的边缘之间具有出气通道(26),所述中座(2)上开设有连接所述出气通道(26)和所述上缓冲区(24)的第三出气口(27)以及连接所述出气通道(26)和所述下缓冲区(25)的第四出气口(28)。

7.如权利要求6所述的灭弧室,其特征在于:所述第三出气口(27)的横截面面积大于所述第四出气口(28)的横截面面积。

8.如权利要求6所述的灭弧室,其特征在于:所述上缓冲壁(231)在朝向所述出气通道(26)的一侧延伸有围合于所述出气通道(26)外缘的延伸壁(235)。

9.如权利要求1至7任一项所述的灭弧室,其特征在于:所述中座(2)在用于固定所述磁支架(5)的固定柱的一侧还开设有第五出气口(29)。

10.断路器,其特征在于:包括磁支架(5)和如权利要求1至9任一项所述的灭弧室,所述磁支架(5)可延伸至所述灭弧室上,且所述磁支架(5)上设有静触头(51)。

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