[发明专利]磁盘装置以及写处理方法有效
申请号: | 202010025987.8 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN112530465B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 铃木启之;竹尾昭彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/596 | 分类号: | G11B5/596;G11B5/60 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 李智;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁盘 装置 以及 处理 方法 | ||
1.一种磁盘装置,具备:
盘;
头,其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置的第2辅助元件;以及
控制器,其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量,
所述控制器根据在所述盘的半径方向上对第1数据覆写第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的所述辅助能量。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器在所述第1数据的所述半径方向上的第3方向进行所述第2数据的覆写的情况下,使从所述第1辅助元件对所述盘产生的第1辅助能量比从所述第2辅助元件对所述盘产生的第2辅助能量小。
3.根据权利要求2所述的磁盘装置,
所述控制器在所述第1数据的所述第3方向进行所述第2数据的覆写的情况下,使施加于所述第1辅助元件的第1电流比施加于所述第2辅助元件的第2电流小。
4.根据权利要求2所述的磁盘装置,
所述控制器在所述第1数据的与所述第3方向相反的第2方向进行所述第2数据的覆写的情况下,使所述第2辅助能量比所述第1辅助能量小。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置,
所述控制器在所述第1数据的所述第2方向进行所述第2数据的覆写的情况下,使施加于所述第2辅助元件的第2电流比施加于所述第1辅助元件的第1电流小。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述控制器对所述第1辅助元件以及所述第2辅助元件分别施加不同的电流。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述第1辅助元件以及所述第2辅助元件是对所述盘产生高频磁场来作为所述辅助能量的高频辅助元件、或者对所述盘照射近场光来作为所述辅助能量的热辅助元件。
8.一种写处理方法,应用于磁盘装置,所述磁盘装置具备盘和头,所述头具有主磁极、与所述主磁极空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中位于所述第1辅助元件的所述盘的半径方向上的第1方向的位置的第2辅助元件,
所述写处理方法包括:
使所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量;以及
根据在所述盘的半径方向上对第1数据覆写第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的所述辅助能量。
9.一种磁盘装置,具备:
盘;和
头,其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置的第2辅助元件,
所述头定位于所述盘的第1半径位置来写入第1数据,在所述盘中定位于与所述第1半径位置不同的第2半径位置来写入第2数据,
因所述头的边缘而受到影响的所述第1数据的所述盘的半径方向上的第1区域的大小与因所述头的边缘而受到影响的所述第2数据的所述半径方向上的第2区域的大小不同,
根据在所述盘的半径方向上对所述第1数据覆写所述第2数据的覆写方向来使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的辅助能量。
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