[发明专利]处理方法和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。

技术领域

本公开涉及一种处理方法和等离子体处理装置。

背景技术

配置于晶圆的周围的外周构件(下面也称为边缘环。)由于暴露于等离子体而产生消耗。边缘环的消耗会对向晶圆实施的处理的结果造成影响，使蚀刻形状以及蚀刻速率等工艺特性降低。因此，专利文献1提出了一种减少由于边缘环的消耗引起的对蚀刻形状等处理结果的影响的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-258417号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的技术。

用于解决问题的方案

根据本公开的一个方式，提供一种处理方法，在该处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压的工序；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。

发明的效果

根据一个方面，能够防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降。

附图说明

图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的一例的示意截面图。

图2是示出由边缘环的消耗引起的倾斜的变动的图。

图3是示出向边缘环施加了电压时的蚀刻速率的一例的图。

图4是示出向边缘环施加了电压时的蚀刻速率的一例的图。

图5是示出一个实施方式所涉及的处理方法的处理结果的一例的图。

图6是示出一个实施方式所涉及的处理方法的一例的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对同一构成部分标注同一附图标记，有时省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

参照图1来说明一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1。图1是示出一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1的一例的示意截面图。一个实施方式所涉及的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行板处理装置，具有腔室10。腔室10是由例如表面被实施了阳极氧化处理的铝构成的圆筒状的容器，且腔室10接地。