[发明专利]制造半导体芯片的连接结构和制造半导体封装件的方法在审
| 申请号: | 202010025247.4 | 申请日: | 2020-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN111613538A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 崔圭桭;金成焕;朱昶垠;权柒佑;林荣奎;李晟旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;张红 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 半导体 芯片 连接 结构 封装 方法 | ||
提供了一种制造半导体芯片的连接结构的方法和一种制造半导体封装件的方法。所述制造半导体芯片的连接结构的方法包括:准备半导体芯片,半导体芯片具有其上设置有连接垫的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且半导体芯片包括设置在第一表面上并覆盖连接垫的钝化层;在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层,绝缘层覆盖钝化层的至少一部分;形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分;通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分;通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔;以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。
本申请要求于2019年2月25日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0022013号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用其全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种制造半导体芯片的连接结构的方法和一种制造半导体封装件的方法,更具体地,涉及能够防止半导体芯片的连接垫(pad,或称为“焊盘”)的腐蚀的制造半导体芯片的连接结构的方法和制造半导体封装件的方法。
背景技术
连接结构是用于将半导体芯片的连接垫电连接到印刷电路板(PCB)(诸如电子装置的主板)的结构。
近来,与半导体芯片相关的技术开发的主要趋势是减小半导体芯片的尺寸,并且随着对小尺寸的半导体芯片等的需求的快速增加,需要实现具有紧凑的尺寸同时包括多个引脚的半导体芯片。近来,根据这样的技术需求,已经通过光刻工艺精细地形成控制半导体芯片的重新分布功能的连接结构的内部重新分布层的图案和过孔。
另一方面,光刻工艺是将光照射到其上绘制有电路图案的光罩或光掩模以曝光感光绝缘层并通过显影剂去除感光绝缘层的部分以实现期望的图案的工艺,并且当重新分布层通过光刻工艺形成在半导体芯片的连接垫上时,存在显影剂、清洗剂等与铝(Al)的连接垫接触而导致对连接垫的腐蚀或损坏的问题。
发明内容
本公开的方面在于提供如下的制造半导体芯片的连接结构的方法和制造半导体封装件的方法:能够在形成半导体芯片的连接结构的工艺和半导体封装工艺中通过防止对连接垫的腐蚀和损坏来提高工艺效率并降低产品缺陷率。
根据本公开的方面,可以提供一种制造半导体芯片的连接结构的方法,其中,在形成重新分布过孔或连接结构的工艺中阻挡用于形成通路孔的化学试剂与连接垫之间的接触。
根据本公开的方面,一种制造半导体芯片的连接结构的方法可以包括:准备半导体芯片,半导体芯片包括第一表面、钝化层和与第一表面相对的第二表面,在第一表面上设置有连接垫并且钝化层覆盖连接垫和其上未设置连接垫的第一表面;在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层,绝缘层覆盖钝化层的至少一部分;形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分;通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分;通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔;以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。
根据本公开的另一方面,一种制造半导体封装件的方法可以包括:准备半导体芯片,半导体芯片具有其上设置有连接垫的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且半导体芯片包括设置在第一表面上并覆盖连接垫的钝化层;在半导体芯片的第二表面上形成包封剂,包封剂覆盖半导体芯片的至少一部分;在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层,绝缘层覆盖钝化层的至少一部分;形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分;通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分;通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔;以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述,本公开的以上或其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示出可在其中使用半导体芯片的电子装置系统的示例的示意性框图;
图2是示出嵌入在电子装置中的半导体封装件的示例的示意性透视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





