[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备

说明书

本公开提供可在SRAM位单元写入动作中有效地阻断来自位单元的直通电流，且可实现良好的写入动作的固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法及电子设备。存储器部230由作为ADC存储器的SRAM231形成，并在读取部60的控制下，进行ADC编码的写入、读取。SRAM231是以如下方式构成，即，对电源节点(电源与虚拟电源节点之间)与接地节点(虚拟基准电位节点与基准电位之间)这两者新增功率栅控晶体管，在写入动作中阻断来自位单元的直通电流。而且，功率栅控晶体管受到读取部60控制，以作为弱电流源或开关中的任一者而进行动作。

技术领域

本发明涉及一种固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法、以及电子设备。

背景技术

互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器已作为使用有光电转换元件的固态摄像装置(图像传感器)而被实际运用，该光电转换元件检测光并产生电荷。

CMOS图像传感器已广泛用作数码相机、摄像机、监控相机、医疗周内窥镜、个人电脑(PC)、手机等便携终端装置(移动设备)等各种电子设备的一部分。

CMOS图像传感器在每个像素中带有包括光电二极管(光电转换元件)及浮动扩散层(FD：Floating Diffusion，浮置扩散层)的FD放大器，该CMOS图像传感器的主流读取类型为列并联输出型，即，选择像素阵列中的某一行，同时向列(column)输出方向对这些行进行读取。

另外，实际上已提出了列并联输出型CMOS图像传感器的各种像素信号读取(输出)电路。

其中，最先进的电路之一是每列(column)包括模拟-数字转换器(ADC(Analogdigital converter))，将像素信号作为数字信号取出的电路(例如参照专利文献1、2)。

在搭载有该列并联ADC的CMOS图像传感器(列AD方式CMOS图像传感器)中，比较器(comparator)对所谓的RAMP波与像素信号进行比较，并利用后段的计数器进行数字相关双采样(Correlated Double Sampling，CDS)，由此，进行AD转换。

但是，此种CMOS图像传感器虽可高速传输信号，但存在无法进行全局快门(globalshutter)读取的缺点。

相对于此，已提出了数字像素(pixel)传感器，其在各像素中配置包含比较器的ADC(还配置存储器部)，可实现以同一时序对像素阵列部中的所有像素开始曝光与结束曝光的全局快门(例如参照专利文献3、4)。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本专利特开2005-278135号公报

[专利文献2]日本专利特开2005-295346号公报

[专利文献3]US 7164114 B2 FIG.4

[专利文献4]US 2010/0181464 A1

发明内容

本发明所要解决的技术问题

而且，在所述数字像素传感器中，各像素使用了静态随机存取存储器(StaticRandom Access Memory，SRAM)作为用以存储AD转换处理后的ADC编码数据的数字存储器。只要不切断电源，就会保持SRAM存储器内所存储的ADC编码，因此，SRAM的使用与动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)或其他类型的动态存储元件相比，在本质上有益。

能够列举如下的三个使用SRAM作为像素(pixel)ADC存储器的优点。