[发明专利]基于低温等离子体制备高度有序银纳米链结构的方法

权利要求书

1.基于低温等离子体制备高度有序银纳米链结构的方法，包括步骤：

a. 清洗硅片：将硅片浸泡于分析纯丙酮中，常温条件下浸泡2min，将丙酮浸泡过的硅片放入盛有去离子水的超声波容器中，清洗5 min；用CP4A洗液对超声波处理过的硅片进行表面划痕处理，至表面粗糙度小于1nm；将经划痕处理后硅片放入7%氢氟酸水溶液中，浸泡5～10 min，将氢氟酸水溶液处理后的硅片浸泡于盛有去离子水的超声波容器中，清洗3～5min，得到表面清洁的硅片，用氮气将表面清洁的硅片吹干，保存在干燥器内；

b. 配制一维银纳米线悬浊液：将直径为60～300nm，长度为10～40μm的一维银纳米线加入到盛有乙醇的超声波容器中，银纳米线和乙醇的质量比为1:1000，在功率密度为0.5～1.5W/cm³的超声下分散3～5分钟，得到一维银纳米线悬浊液；

c. 铺展：将步骤b的一维银纳米线悬浊液5μL滴到步骤a存放的硅片上，硅片水平静置，直到一维银纳米线悬浊液在硅片均匀铺展完成；

d. 干燥：将步骤c的硅片进行干燥，干燥后在硅片表面得到一层具有衍射效果的透明薄膜；

其特征在于,还包括:

e. 低温等离子体轰击：采用CVD管式炉，同时搭载250W射频电源，射频频率13.56 MHZ，将样品置于管式炉内，Ar气氛压强0.2Pa条件下启辉，射频功率60W～150W，处理时间3～5min，轰击过程中保证一维银纳米线的“准液态”温度低于其熔点，得到高度有序银纳米链；

步骤a中的所述CP4A洗液是由质量分数为40%的氢氟酸水溶液，乙酸，质量分数为65%-68%的硝酸水溶液和超纯水按照体积比3:5:3:22配制的组合物。

2.如权利要求1所述的基于低温等离子体制备高度有序银纳米链结构的方法，其特征在于，所述步骤e中射频功率100W，处理时间5min，轰击过程中保证硅片表面温度低于100℃。