[发明专利]一种基于超临界的高质量宽禁带半导体氧化工艺及制备的氮化镓和应用

权利要求书

1.一种基于超临界的高质量宽禁带半导体氧化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将氮化镓样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；

S2、向超临界设备的腔室内放入双氧水，然后将设备密封；

S3、控制压强向超临界设备内充入氧气；

S4、将超临界设备温度从25℃升到375～390℃；

S5、保持以上超临界状态处理，降压处理并保持；

S6、氮化镓样品的表面生长出一层致密的β氧化镓薄膜。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤S2中，双氧水占超临界设备体积的1/6～1/8。

3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤S3中，压强为10～12MPa。

4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤S4中，升温速率为7～8℃/min，压强升至25～29MPa，然后保压15～18min。

5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤S5中，将压强降到0.1～0.3MPa，保持15～20min。

6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，步骤S6中，待超临界设备的温度降至30～60℃后取出。

7.一种氮化镓，其特征在于，根据权利要求1所述工艺制备而成。

8.根据权利要求7所述的氮化镓，其特征在于，氮化镓的表面设置有一层厚度500～1000nm的β氧化镓薄膜。

9.一种氮化镓基MOS器件，其特征在于，包括权利要求7或8所述的氮化镓。