[发明专利]使用垂直各向异性的杂散场鲁棒XMR传感器在审
| 申请号： | 202010022387.6 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111426994A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | W·拉伯格;C·米伦霍夫;J·齐默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郭星 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 垂直 各向异性 散场 xmr 传感器 | ||
1.一种具有传感器平面的磁阻传感器，在所述传感器平面中，所述磁阻传感器对磁场敏感，所述磁阻传感器包括：
参考层，具有参考磁化，所述参考磁化是固定的并且与所述传感器平面的平面内轴线对准；以及
磁性自由层，被设置为靠近所述参考层，所述磁性自由层具有沿着在所述传感器平面的平面外的平面外轴线对准的自由层磁化，其中所述自由层磁化被配置为在存在外部平面内磁场的情况下远离所述平面外轴线并且朝向所述传感器平面倾斜。
2.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁性自由层呈现出垂直的磁各向异性。
3.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中在不存在施加到所述磁性自由层的任何外部磁场的情况下，所述自由层磁化沿着所述平面外轴线对准。
4.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁性自由层具有本征磁各向异性，所述本征磁各向异性在不存在施加到所述磁性自由层的任何外部磁场的情况下，使所述自由层磁化沿着所述平面外轴线对准。
5.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述平面外轴线垂直于所述传感器平面。
6.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述自由层磁化被配置为基于所述外部平面内磁场的场强在所述平面外轴线与所述传感器平面之间枢转。
7.根据权利要求6所述的磁阻传感器，其中所述平面外轴线垂直于所述平面内轴线。
8.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中随着所述外部平面内磁场的场强增加，所述平面外轴线与所述自由层磁化之间的角度增加。
9.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述外部平面内磁场是外部旋转磁场。
10.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁阻传感器被配置为基于所述外部平面内磁场的取向和所述外部平面内磁场的场强来生成传感器输出。
11.根据权利要求10所述的磁阻传感器，其中所述传感器输出的大小取决于所述外部平面内磁场的场强。
12.根据权利要求11所述的磁阻传感器，其中所述传感器输出的大小与所述外部平面内磁场的场强成正比。
13.根据权利要求10所述的磁阻传感器，其中所述传感器输出的大小取决于沿着所述平面内轴线作用的所述外部平面内磁场的磁场分量的场强。
14.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述外部平面内磁场具有沿着所述平面内轴线作用的平面内磁场分量。
15.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁性自由层具有的厚度为1.4nm或更小。
16.根据权利要求1所述的磁阻传感器，其中所述磁性自由层具有的厚度为0.9nm或更小。
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