[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的辅助电极；

位于所述辅助电极远离所述衬底基板一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

位于所述导电结构远离所述衬底基板一侧的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

位于所述底切结构远离所述衬底基板一侧的发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

位于所述发光层远离所述衬底基板一侧的阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接；

所述底切结构包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内；

所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述阳极在所述衬底基板上的正投影不重叠，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影与所述平坦层在所述衬底基板上的正投影不重叠，

所述第一子层与所述显示基板的平坦层采用相同的材料；

所述第二子层与所述显示基板的阳极采用相同的材料。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜晶体管，所述导电结构与所述薄膜晶体管的源极和漏极采用相同的材料。

3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极采用金属；或

所述辅助电极包括沿垂直所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极和第二电极，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影内，所述第一电极采用透明导电材料，所述第二电极采用金属。

4.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓与所述导电结构在所述衬底基板上的正投影的外轮廓之间的最小距离为0.1～5um。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4中任一项所述的显示基板。

6.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成辅助电极；

形成覆盖所述辅助电极的绝缘层，所述绝缘层包括暴露出所述辅助电极的过孔；

形成位于所述绝缘层上的导电结构，所述导电结构通过贯穿所述绝缘层的过孔与所述辅助电极连接；

形成位于所述导电结构上的底切结构，所述底切结构的侧面形成有凹口，所述底切结构在所述衬底基板上的正投影位于所述导电结构在所述衬底基板上的正投影内；

形成发光层，所述发光层在所述底切结构的侧面自然断裂；

形成阴极，所述阴极在所述底切结构的侧面自然断裂，分为位于所述底切结构上的第一部分和除所述第一部分外的第二部分，所述第二部分与所述导电结构电连接；

所述显示基板还包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的平坦层和阳极，形成所述底切结构包括：

通过一次构图工艺形成所述平坦层和第一子层过渡图形；

通过一次构图工艺形成所述阳极和第二子层，所述第二子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子层过渡图形在所述衬底基板上的正投影内；

以所述第二子层为掩膜，对所述第一子层过渡图形进行刻蚀，形成第一子层，所述第一子层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子层在所述衬底基板上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜晶体管，形成所述导电结构包括：

通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的源极、漏极和所述导电结构。