[发明专利]一种高灵敏度纳米线加速度传感器有效
| 申请号： | 202010020712.5 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111157762B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;蔡伟成;李志瑞;赵剑;刘蓬勃;王岩;赵丹娜 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 纳米 加速度 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高灵敏度纳米线加速度传感器，其特征在于，该高灵敏度纳米线加速度传感器包括衬底、导电层和桥接纳米线，衬底上生长有导电层，衬底被刻蚀成凹槽结构，凹槽贯穿导电层，使得导电层被分隔成左侧导电层和右侧导电层，二者之间电绝缘；一侧导电层被分隔成两块相互绝缘的导电层，两侧导电层的侧壁上桥接纳米线，整体构成U型环路；纳米线为悬空状态，作为两侧导电层的导电通道，连接两侧的导电层；
所述的衬底被刻蚀成导电层为悬空状态，该侧导电层为合并的，即局部减薄；该悬空部分作为质量块，从而形成纳米线一端支撑质量块的悬臂梁结构。
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