[发明专利]一种共用耦合器的多位移相单元在审
申请号: | 202010018766.8 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111146532A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 王超;钟业奎;邱安美;喻培丰;张泽展;段英;苟学科;姜晶 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/18 | 分类号: | H01P1/18 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 陈一鑫 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 共用 耦合器 位移 单元 | ||
1.一种共用耦合器的多位移相单元,该移相单元包括:输入接口、输出接口、耦合器、第一电路网络、第二电路网络;第一、第二电路网络分别与耦合器相连,第一电路网络包括第一阻抗网络及第一反射终端控制网络,第二电路网络包括第二阻抗网络及第二反射终端控制网络;
所述耦合器主要包括四个接口:输入端口、直通输出端口、耦合输出端口、隔离端口,耦合器的输入端口连接输入接口,耦合器的隔离端口连接输出接口,直通输出端口连接第一电路网络的连接端口,耦合输出端口连接第二电路网络的连接端口;所述第一电路网络和第二电路网络结构完全相同,都包括:阻抗变换网络和反射终端控制网络;
所述阻抗变换网络包括:第一电阻和第一电容,第一电阻和第一电容并联,一端作为阻抗变换网络的连接端口另一端接地;
所述反射终端控制网络包括:第二电容、第三电容、第四电容、第一开关管、第二开关管、第三开关管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一控制电源、第二控制电源、第三控制电源;其中第二电容、第三电容、第四电容的一端共接作为反射终端控制网络的连接端口,另一端分别对应与第三开关管、第二开关管、第一开关管的源极连接,第三开关管、第二开关管、第一开关管的漏极共接后接地;第三开关管、第二开关管、第一开关管的栅极分别与第二电阻、第三电阻、第四电阻的一端连接,第二电阻、第三电阻、第四电阻的另一端分别对应连接第三控制电源、第二控制电源、第一控制电源的正极,第三控制电源、第二控制电源、第一控制电源的负极共接后接地;
所述反射终端控制网络的连接端口与阻抗变换网络的连接端口共接后作为第一电路网络或第二电路网络的连接端口。
2.如权利要求1所述的一种共用耦合器的多位移相单元,其特征在于所述的耦合器包括:厚度为100μm的GaAs基底、介电常数为6.9厚度为4.6μm的P掺杂衬底、厚度为1μm宽度为10.7μm的金属传输线、厚度为2μm的跳线,所述P掺杂衬底位于GaAs基底上,金属传输线位于GaAs基底和P掺杂衬底之间,跳线位于P掺杂衬底上表面;所述金属传输线包括依次按行排列间隙为7.1μm的:第一传输线、第二传输线、第三传输线、第四传输线、第五传输线,每一行设置一条传输线,跳线包括:第一跳线、第二跳线、第三跳线;所述第二传输线、第四传输线长度相同,第一传输线和第五传输线长度相同为第二传输线或第四传输线长度的一半,所述第一传输线位于第二跳线左侧,第五传输线位于第四传输线的右侧,第一传输线、第三传输线、第四传输线左端对齐,第二传输线、第三传输线、第五传输线右端对齐;所述第一传输线的左端与第三传输线的左端连接,第三传输线的右端与第五传输线的右端连接;所述第二传输线的左端与四传输线的左端通过金属通孔分别与第一跳线的两端连接;所述第一传输线的右端、第三传输线的中端、第五传输线的左端分别通过金属通孔分别与第二跳线上端、中端、下端连接;第二传输线的右端、第四传输线的右端通过金属通孔分别于第三跳线的两端连接,所述第一传输线的左端为耦合器的输入端口,第十传输线的左端为耦合器的隔离端口,第二传输线的右端为耦合器的耦合输出端口,第五传输线的右端为耦合器的直通输出端口。
3.如权利要求1所述的一种共用耦合器的多位移相单元,其特征在于所述第一开关管、第二开关管、第三开关管都采用PHEMT开关管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010018766.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。