[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010018649.1 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111192906A | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 赵恒 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括功能区,该方法包括:在衬底上制备阵列功能层;在该阵列功能层上制备封装层;对该封装层和该阵列功能层的该功能区进行刻蚀,形成一凹槽。本申请实施例通过采用蚀刻的方式除去功能区内的多层级,由于该蚀刻方式相较于传统的切割工艺更加温和,不易对无机材料层产生裂纹,因此有效的防止了水氧对面板内部元器件的损害,从而提高了显示面板的良品率,节约成本。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
随着信息传输技术与电子产品的发展,有机电致发光二极管(OLED)显示器得到越来越广泛的应用,因为其优点突出,包括亮度高,响应快,能耗低,成本低等。目前全面屏为一大发展趋势,为实现更高的屏占比,目前的方案有刘海屏、水滴屏、挖孔屏、升降式摄像头乃至屏下摄像头;其中挖孔屏以其开孔小,摄像头与屏幕一体性好的优势,使得屏幕看起来更为完整,视觉冲击感更强,是一种广泛应用的全面屏方案。
但是传统的屏幕挖孔方式采用一种切割的方法,在切割工段过程中,容易会产生裂纹,使得水汽和氧气则会透过裂纹渗透到器件内部,对发光材料造成侵蚀,使显示屏寿命下降。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板的制备方法,通过采用蚀刻的方式除去功能区内的多层级,由于该蚀刻方式相较于传统的切割工艺更加温和,不易对无机材料层产生裂纹,因此有效的防止了水氧对面板内部元器件的损害,从而提高了显示面板的良品率,节约成本。
第一方面,本申请实施例提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括功能区,所述方法包括:
在衬底上制备阵列功能层;
在所述阵列功能层上制备封装层;
对所述封装层和所述阵列功能层的所述功能区进行刻蚀,形成一凹槽。
在一些实施例中,所述对所述封装层和所述阵列功能层的所述功能区进行刻蚀,包括:
对所述封装层和所述阵列功能层进行干法蚀刻。
在一些实施例中,所述对所述封装层和所述阵列功能层进行干法蚀刻,包括:
通过掩膜版覆盖所述封装层,其中,所述掩膜版对应所述功能区的位置镂空。
在一些实施例中,所述对所述封装层和所述阵列功能层进行干法蚀刻,包括:
通过氟化物气体对所述封装层和所述阵列功能层进行干法蚀刻。
在一些实施例中,所述对所述封装层和所述阵列功能层的所述功能区进行刻蚀,形成一凹槽,之后,所述方法还包括:
采用有机层对所述凹槽进行填充。
在一些实施例中,在采用有机层对所述凹槽进行填充,之后,所述方法还包括:
沿所述凹槽的延伸方向,切割所述有机层和所述衬底。
在一些实施例中,所述切割所述有机层和所述衬底,包括:
采用激光切割方法,切除所述有机层和所述衬底。
第二方面,本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括功能区,所述显示面板还包括衬底、阵列功能层、和封装层,在所述功能区形成有凹槽,所述凹槽采用如第一方面所述的方法制备而成。
在一些实施例中,所述封装层为两层层叠结构。
在一些实施例中,所述封装层为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的