[发明专利]储存单元

说明书

本发明公开了一种储存单元包括选择电路、第一储存晶体管及第二储存晶体管。选择电路耦接于源极线及共同节点，选择电路可被导通以建立源极线及共同节点之间的电性连接，及被截止以阻断电性连接。第一储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第一储存晶体管的第二端耦接于第一位线，而第一储存晶体管的控制端耦接于控制线。第二储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第二储存晶体管的第二端耦接于第二位线，而第二储存晶体管的控制端耦接于控制线。第一储存晶体管及第二储存晶体管是二维的电荷捕捉装置或三维的电荷捕捉装置。

技术领域

本发明是有关于一种储存单元，特别是指一种包括二维电荷捕捉装置或三维电荷捕捉装置的储存单元。

背景技术

随着电子装置的应用领域越来越广，电子装置内部及电子装置之间数据通讯安全也受到越来越高的重视。由于芯片和电子装置的逆向工程变得自动化，且旁通道攻击的能力越来越强，成本也变得越来越能够负担，因此要能够保护电子装置不受到未授权者存取也变得益加困难。

在先前技术中，物理不可克隆函数(physical unclonable function，PUF)电路可以利用其原生的特性产生随机数作为密钥，以保护系统免于物理攻击。举例来说，静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)中的闩锁器在没有输入信号的情况下，会根据其初始的电性分布而进入特定的稳态，由于其初始的电性分布无法预测也无法控制，因此可以用来实作物理不可克隆函数电路以产生随机数。然而，由于静态随机存取内存的闩锁器所储存的随机数是挥发性(volatile)的，因此每当电源被重置(reset)时，原先储存的随机数就会被抹除而必需重新产生。

发明内容

本发明的一实施例提供一种储存单元，储存单元包括选择电路、第一储存晶体管及第二储存晶体管。

选择电路耦接于源极线及共同节点，选择电路被导通时会建立源极线及共同节点之间的电性连接，而选择电路被截止时则会阻断其电性连接。第一储存晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第一储存晶体管的第二端耦接于第一位线，而第一储存晶体管的控制端耦接于控制线。第二储存晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第二储存晶体管的第二端耦接于第二位线，而第二储存晶体管的控制端耦接于控制线。

第一储存晶体管及第二储存晶体管是二维的电荷捕捉装置或三维的电荷捕捉装置。

本发明的另一实施例提供一种操作储存单元的方法。储存单元包括选择电路、第一储存晶体管及第二储存晶体管，选择电路耦接于源极线及共同节点。第一储存晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第一储存晶体管的第二端耦接于第一位线，而第一储存晶体管的控制端耦接于控制线。第二储存晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二储存晶体管的第一端耦接于共同节点，第二储存晶体管的第二端耦接于第二位线，而第二储存晶体管的控制端耦接于控制线。

操作储存单元的方法方法包括在注册操作中，执行第一写入程序，执行第一读取程序以判断在第一写入程序后，第一位线的读取电流或第二位线的读取电流是否达到默认值，及根据第一读取程序的结果执行第二写入程序。

第一储存晶体管及第二储存晶体管是二维的电荷捕捉装置或三维的电荷捕捉装置。

附图说明

图1是本发明一实施例的储存单元的示意图。

图2是本发明一实施例的在操作图1的储存单元以进行注册操作的方法流程图。

图3是应用图2的方法时，储存单元所接收到的电压示意图。

图4是本发明一实施例的图1的储存单元的布局设计图。

图5是本发明另一实施例的图1的储存单元的布局设计图。

图6是本发明另一实施例的储存单元的示意图。