[发明专利]金修饰的花状SnS2

权利要求书

1.一种金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器，其特征在于，该金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器包括气体敏感材料和加热电极，气体敏感材料均匀涂覆于加热电极的表面，涂覆厚度为30μm～60μm；气体敏感材料是金修饰的花状SnS₂材料。

2.根据权利要求1所述的金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的花状SnS₂材料的尺寸为1μm～10μm。

3.根据权利要求1或2所述的金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的加热电极为正面带有纯金、叉指对数为3～10对、厚度为2～5μm的氧化铝基板，背面带有发热电阻板，发热电阻板的发热温度为30℃～400℃。

4.根据权利要求1或2所述的金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的二氧化氮气体传感器的工作环境温度为80℃～200℃。

5.根据权利要求3所述的金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的二氧化氮气体传感器的工作环境温度为80℃～200℃。

6.一种金修饰的花状SnS₂的二氧化氮气体传感器的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，制备SnS₂纳米花粉末：将SnCl₄·5H₂O和硫代乙酰胺依次溶解在异丙醇中，控制SnCl₄·5H₂O和硫代乙酰胺的摩尔比为1：4～5；剧烈搅拌至药品完全溶解后，将溶液转移到的高压釜中，密封并在180℃下水热12-24h；然后将高压釜冷却至室温，最后通过离心混合物收集金色沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇洗涤多次，然后在50℃～100℃下干燥12h～24h以进一步表征和使用；

步骤二，制备金修饰的SnS₂纳米花材料：将步骤一中所得SnS₂纳米花粉末分散于去离子水中，得到浓度为0.01mol/l的悬浊液，再加入0.01mol/l的L-懒氨酸溶液作为分散剂使SnS₂纳米花粉末均匀分散在去离子水中，搅拌10-15min，然后，加入的氯金酸溶液，并控制氯金酸与SnS₂的摩尔比为0.01～0.5:1，搅拌30min，最后缓慢滴入0.1mol/l的柠檬酸钠溶液，搅拌30min；最后通过离心混合物收集金色沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇洗涤多次，然后在50℃～100℃下干燥12h～24h以进一步表征和使用；

步骤三，制备金修饰的SnS₂纳米花气体传感器：将步骤二中所得的金修饰的SnS₂纳米花材料粉末研磨1min～5min，再将研磨后的粉末均匀分散到去离子水中，超声处理后得到6mg/ml～10mg/ml的分散液；将该分散液涂覆到所述加热电极表面，放置于干燥箱中60℃～100℃干燥8h～12h，得到二氧化氮气体传感器。