[发明专利]微型发光二极管及其封装方法在审
| 申请号: | 202010017178.2 | 申请日: | 2020-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN113097191A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 刘台徽;刘仲熙 | 申请(专利权)人: | 刘台徽 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 何为;袁颖华 |
| 地址: | 中国台湾台北市松*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 及其 封装 方法 | ||
1.一种微发光二极管,包括数个数组排列的封装体,其特征在于,每一封装体包括:
数组像素,各像素具有一红色微发光二极管芯片、一绿色微发光二极管芯片及一蓝色微发光二极管芯片,该数组像素等距间隔设置;
数个微通孔方块,与数组像素的红色微发光二极管芯片相邻设置;以及
一封装层,覆盖于数组像素上;
其中,该红色微发光二极管芯片的电极为垂直结构,该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片的电极为水平结构。
2.如权利要求1所述的微发光二极管,其特征在于,每一封装体中像素的排列数量为4n,n为自然数,且n为1-60万之间。
3.如权利要求1所述的微发光二极管,其特征在于,所述数组像素之间的间距为0.1mm-0.6mm。
4.如权利要求1所述的微发光二极管,其特征在于,所述微通孔方块设有孔洞,孔洞的直径为10µm-55µm。
5.如权利要求4所述的微发光二极管,其特征在于,所述孔洞由导电材料制成。
6.如权利要求5所述的微发光二极管,其特征在于,所述导电材料选自由铜、铝、镍、金、银、锡、或其组合。
7.如权利要求1所述的微发光二极管,其特征在于,所述微通孔方块的长为50µm-200µm,宽为50µm-200µm,且高为50µm-200µm。
8.一种制造微发光二极管的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
取一第一基板,于其上设置第一感压胶层;
于该第一感压胶层上设置数组像素,每一像素具有一红色微发光二极管芯片、一绿色微发光二极管芯片及一蓝色微发光二极管芯片;
于该第一感压胶层上设置数个微通孔方块,该些微通孔方块分别与该红色微发光二极管芯片相邻设置;
涂布一第一光阻层于该些像素上,并进行曝光、显影及镀铜层;
涂布一第二光阻层于该些像素及该第一光阻层上,并进行曝光、显影及镀铜层;
进行金属表面处理以形成一第一金属复合层;
剥离该第一基板和第一感压胶层;
设置一第二感压胶层和第二基板于该第一金属复合层第二光阻层上;
于该数组像素上进行金属表面处理以形成一第二金属复合层;
覆盖一封装材于该像素上形成封装层;以及
剥离该第二基板和第二感压胶层;
切割,形成封装体。
9.一种制造微发光二极管的方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:
取一第一基板,于其上设置第一感压胶层;
于该第一感压胶层上设置数组像素,每一像素具有一红色微发光二极管芯片、一绿色微发光二极管芯片及一蓝色微发光二极管芯片;
于该第一感压胶层上设置数组微通孔方块,该微通孔方块与该红色微发光二极管芯片相邻设置;
涂布一第一光阻层于数组像素上,并对第一光阻层进行曝光、显影及镀铜层;
于该第一光阻层和镀铜层上设置第二感压胶层,再设置第二基板;
剥离该第一基板和第一感压胶层,反转使第二基板朝下;
涂布一第二光阻层于该些像素和第一光阻层上,并对第二光阻层进行曝光、显影及镀铜层;
涂布一第三光阻层于该些像素上,并对第三光阻层并进行曝光、显影及镀铜层;
覆盖一封装材于该第三光阻层和镀铜层上以形成封装层;
剥离该第二基板和第二感压胶层,以及切割,形成封装体。
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