[发明专利]基于圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构在审

专利信息
申请号: 202010016925.0 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111045122A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 文奎;杨俊波;何新 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00;G02B6/122
代理公司: 长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙) 43226 代理人: 匡治兵
地址: 410003 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 基于 圆形 阵列 表面 等离子体 显示 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:包括模板和纳米颗粒两个部分,通过将不同形状或尺寸的纳米颗粒添加到模板,控制可见光波段透射峰的移动,达到呈现不同颜色的目的;其中,模板由厚度为h2的电介质基底和设于电介质基底上用于产生表面等离子体的厚度为h1的金属薄膜构成,金属薄膜上设有N个透光单元,所述的透光单元为一个周期为Px,Py的矩形,矩形中心开有一个贯穿金属薄膜厚度方向的半径为R的圆孔,Rmin(Px,Py);所述的N个透光单元周期性阵列排列;纳米颗粒由与模板相同材质的金属构成,放置于圆孔中心位置的石英基底表面;每N个周期性排列的透光单元组成一个颜色像素点,在每个颜色像素点的所有透光单元内均填充相同的纳米颗粒,使每个颜色像素点呈现出单一的颜色效果。

2.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述电介质基底的电介质材料为石英,所述电介质的厚度h2为100nm。

3.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述金属薄膜的材料为金属铝,所述金属薄膜的厚度h1为50nm。

4.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述透光单元的形状为正方形,其排列周期Px,Py均为200nm。

5.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述透光单元的数量N=9。

6.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述的纳米颗粒为球结构,半径R4-1为45nm-60nm。

7.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述的纳米颗粒为十字形结构,矩形部分宽W4-2为20nm,矩形部分长L4-2为80nm-130nm,厚度H4-2为50nm。

8.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述的纳米颗粒为圆环结构,圆环的环宽(R4-32-R4-31)保持20nm不变,内半径R4-31为15nm-40nm,外半径R4-32为35nm-60nm,厚度H4-3为50nm。

9.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述的纳米颗粒为圆柱结构,半径R4-4为40nm-65nm,厚度H4-4为50nm。

10.一种根据权利要求1所述基于周期性亚波长圆形孔阵列的表面等离子体显示像素结构,其特征在于:所述的纳米颗粒为正方体结构,边长L4-5为60nm-110nm,厚度H4-5为50nm。

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