[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 202010016707.7 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111435640A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 小松淳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 方法 | ||
提供被加工物的加工方法,能够防止产生加工不良。一种利用切削刀具切削被加工物的被加工物的加工方法,具有如下的步骤:外径计算步骤,计算使以规定的圆周速度进行旋转的切削刀具切入被加工物而对被加工物进行切削从而产生磨损的切削刀具的外径;转速计算步骤,根据在外径计算步骤中计算出的切削刀具的外径,计算使规定的圆周速度与磨损后的切削刀具的圆周速度之差为规定的值以下的磨损后的切削刀具的转速;以及切削步骤,使磨损后的切削刀具以与在转速计算步骤中计算出的转速对应的转速进行旋转而切入被加工物,对被加工物进行切削。
技术领域
本发明涉及利用切削刀具对被加工物进行切削的被加工物的加工方法。
背景技术
通过对具有由IC(Integrated Circuit:集成电路)和LSI(Large ScaleIntegration:大规模集成电路)等构成的多个器件的半导体晶片进行分割,制造分别具有器件的多个器件芯片。另外,通过对利用由树脂构成的密封材料(模制树脂)覆盖安装在基板上的多个器件芯片而形成的封装基板进行分割,制造分别具有被模制树脂覆盖的器件芯片的多个封装器件。
在上述的半导体晶片和封装基板所代表的被加工物的分割中,例如使用切削装置。切削装置具有对被加工物进行保持的卡盘工作台和供对被加工物进行切削的圆环状的切削刀具安装的主轴(旋转轴)。当在将切削刀具安装于主轴的前端部的状态下使主轴旋转时,切削刀具进行旋转。然后,通过使旋转的切削刀具切入被卡盘工作台保持的被加工物而对被加工物进行切削(例如,参照专利文献1)。
作为在被加工物的切削中使用的切削刀具,例如,使用电铸轮毂刀具,该电铸轮毂刀具环状的切刃,该环状的切刃是将由金刚石等构成的磨粒利用由镍等构成的镀层进行固定而形成的。当持续利用切削刀具切削被加工物时,镀层发生磨损而使露出的磨粒脱落,并且从镀层露出新的磨粒。该作用被称为自锐,通过自锐来维持切削刀具的切削功能。
专利文献1:日本特开2010-129623号公报
在利用切削刀具切削被加工物时,安装有切削刀具的主轴的转速保持恒定。另一方面,当使切削刀具切入被加工物而进行切削加工时,切削刀具的外周部(前端部)磨损,切削刀具的外径变小。因此,如果持续利用切削刀具切削被加工物,则切削刀具的外周缘的速度(圆周速度)逐渐降低。
当切削刀具的圆周速度降低时,在切削刀具切入被加工物时施加于被加工物的负荷(加工负荷)增大。其结果为,有可能在被加工物上产生崩边(缺损)或裂纹等加工不良,从而使被加工物的品质降低。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供能够防止产生加工不良的被加工物的加工方法。
根据本发明的一个方式,提供被加工物的加工方法,利用切削刀具对被加工物进行切削,其中,该被加工物的加工方法具有如下的步骤:外径计算步骤,计算使以规定的圆周速度进行旋转的该切削刀具切入该被加工物而对该被加工物进行切削从而产生磨损的该切削刀具的外径;转速计算步骤,根据在该外径计算步骤中计算出的该切削刀具的外径,计算使该规定的圆周速度与磨损后的该切削刀具的圆周速度之差为规定的值以下的磨损后的该切削刀具的转速;以及切削步骤,使磨损后的该切削刀具以与在该转速计算步骤中计算出的转速对应的转速进行旋转而切入该被加工物,对该被加工物进行切削。
另外,优选的是,在上述的被加工物的加工方法中,多次实施该外径计算步骤、该转速计算步骤以及该切削步骤而对该被加工物进行加工。
在本发明的一个方式的被加工物的加工方法中,根据磨损后的切削刀具的外径来控制磨损后的切削刀具的转速,以使磨损前后的切削刀具的圆周速度之差为规定的值以下。由此,抑制了切削刀具的圆周速度的降低所导致的加工负荷的增大,防止了被加工物的加工不良的产生。
附图说明
图1是示出切削装置的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造