[发明专利]一种新型谐振器结构在审

专利信息
申请号: 202010016433.1 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111162749A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 孙成亮;谢英;高超;邹杨;徐沁文;吴志鹏;刘婕妤;童欣;周杰 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/15
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 许莲英
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 谐振器 结构
【权利要求书】:

1.一种新型谐振器结构,其特征在于,包括:正电极、负电极、压电层以及衬底;所述的正电极、负电极依次交替排列,且均置于所述压电层上,所述压电层置于所述衬底上;所述的正电极、负电极均为条形结构,所述条形结构沿中心及中心附近区域顺时针或逆时针向外延伸的螺旋形曲线分布。

2.根据权利要求1所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述螺旋形曲线为螺旋曲线、螺旋折线;所述螺旋折线为多边形螺旋结构。

3.根据权利要求2所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述螺旋折线为四边形螺旋多边形螺旋结构、五边形螺旋多边形螺旋结构、六边形螺旋多边形螺旋结构。

4.根据权利要求2所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述螺旋曲线为阿基米德螺旋线,连锁螺线。

5.根据权利要求1所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述衬底为硅、蓝宝石衬底或者SOI衬底。

6.根据权利要求1所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述衬底为带有刻蚀空腔的衬底或无需刻蚀空腔的衬底;所述刻蚀空腔通过牺牲层填充刻蚀或为背向刻蚀;所述带有刻蚀空腔的衬底结构用于超高频谐振器和兰姆波谐振器,所述无需刻蚀空腔的衬底结构可用于声表面波谐振器中。

7.根据权利要求1所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述压电材料为具有压电性质的薄膜材料,所述压电材料的形状为规则图形或不规则图形。

8.根据权利要求7所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述薄膜材料为铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、钪掺杂氮化铝;所述规则图形为圆形、五边形、六边形。

9.根据权利要求1所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述的正电极、负电极均为金属材料,电极间的间距可为电极宽度的M倍,1≤M≤50。

10.根据权利要求9所述的新型谐振器结构,其特征在于,所述金属材料为钼、铝、铂、金。

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