[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区，其在衬底上在第一方向上延伸；

多个沟道层，其位于所述有源区上，并彼此竖直地间隔开；

栅极结构，其与所述有源区和所述多个沟道层交叉，所述栅极结构在所述衬底上在第二方向上延伸并围绕所述多个沟道层；以及

源/漏区，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区上，所述源/漏区与所述多个沟道层接触，所述源/漏区包括：

各个第一外延层，其具有第一成分并包括第一层和第二层，所述第一层位于所述多个沟道层的在所述第一方向上取得的侧表面上，所述第二层在所述源/漏区的下端处位于所述有源区上；以及

第二外延层，其具有与所述第一成分不同的第二成分，所述第二外延层在所述第一方向上插设于所述第一外延层之间，并在第三方向上插设于所述第一外延层之间，其中，所述第三方向是与所述第一方向和所述第二方向垂直的竖直方向。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一层在沿所述第三方向向上和向下设置的所述多个沟道层之间彼此分隔开，并且与所述第二层分隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面上，所述第一外延层的至少部分与所述第二外延层重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

内部间隔件层，其在所述多个沟道层中的每一个的下表面上设置在所述栅极结构的在所述第一方向上取得的相对侧，并具有与所述多个沟道层的所述侧表面实质上共面的外部侧表面。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一层从由所述内部间隔件层和所述多个沟道层形成的侧表面朝向所述第二外延层突出。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一层的在所述第一方向上取得的侧表面被所述第二外延层、所述多个沟道层和所述内部间隔件层围绕。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延层包括第一杂质，并且所述第二外延层包括与所述第一杂质不同的第二杂质。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一外延层中的每一个以第一浓度包括所述第一杂质，并且所述第二外延层以高于所述第一浓度的第二浓度包括所述第二杂质。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二浓度在所述第一浓度的10倍至20倍的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一外延层和所述第二外延层包括第一杂质，并且

其中，所述第一外延层中的每一个以第一浓度包括所述第一杂质，并且所述第二外延层以高于所述第一浓度的第二浓度包括所述第一杂质。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一杂质包括砷和磷中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外延层和所述第二外延层中的每一个为SiAs、SiP、SiPC、SiC、SiPAs和SiGeP中的一种。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源/漏区还包括第三外延层，所述第三外延层设置在所述第一层与所述多个沟道层之间以及所述第二层与所述有源区之间。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第三外延层以比包括在所述第一外延层中的杂质的浓度低的浓度包括杂质。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一层在所述多个沟道层的所述侧表面处具有第一最大厚度，并且

其中，所述第二层在所述有源区的上表面处具有比所述第一最大厚度大的第二最大厚度。