[发明专利]一种掺杂钒酸镝磁光晶体、其制备生长方法及其应用

权利要求书

1.一种基于钒酸镝的磁光晶体，其特征在于，化学式为

K_xM¹_yM_z²Dy_(1-x-y-z)VO₄；

其中，0≤x≤0.5，0≤y≤0.5，0≤z≤0.5；M¹为+3价金属离子，M²为+2价金属离子。

2.根据权利要求1所述的磁光晶体，其特征在于，所述M¹选自Sc³⁺、Y³⁺、La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Pm³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、Lu³⁺、Al³⁺、Ga³⁺、In³⁺中的至少一种；

优选地，所述M²选自Mg⁺²、Ca⁺²、Sr⁺²、Ba⁺²、Zn⁺²、Cd⁺²、Pb⁺²、Eu⁺²中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的磁光晶体，其特征在于，所述磁光晶体在532nm波长条件下的Verdet常数为-249～-309rad/m/T，是TGG晶体的1.31～1.63倍；

优选地，所述磁光晶体的化学式为DyVO₄晶体；

优选地，所述化学式为DyVO₄的磁光晶体，在532nm波长下的Verdet常数为-308～-310rad/m/T，，是TGG晶体的1.62～1.64倍，消光比为34～36dB；

优选地，所述磁光晶体的化学式为K_0.05Ba_0.05Ga_0.15Dy_0.8VO₄；

优选地，所述化学式为K_0.05Ba_0.05Ga_0.15Dy_0.8VO₄的磁光晶体，在532nm波长下的Verdet常数为-248～-250rad/m/T，是TGG晶体的1.30～1.32倍，消光比为37～39dB。

4.权利要求1-3任一项所述磁光晶体的制备方法，其特征在于，至少包括如下步骤：

(a)获取DyVO4粉体；

(b)将含有K源、第二V源、DyVO₄粉体、M¹源和M²源的混合物，研磨后，压片成型，烧结，获得K_xM¹_yM_z²Dy_(1-x-y-z)VO₄多晶体；

(c)将所述K_xM¹_yM_z²Dy_(1-x-y-z)VO₄多晶体采用提拉法得到K_xM¹_yM_z²Dy_(1-x-y-z)VO₄单晶。