[发明专利]一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器及其应用

权利要求书

1.一种定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，该电化学适配体传感器为三电极体系传感器，其特征在于工作电极是在金片电极表面依次修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜、捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体后得到的；所述的捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体两两之间互补配对形成Y型结构。

2.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于采用如下方法在金片电极表面修饰还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜：

（1）在所述金片电极表面形成三维SiO₂纳米球阵列；

（2）在所述三维SiO₂纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜；

（3）溶解所述三维SiO₂纳米球阵列。

3.根据权利要求2所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于步骤（2）是通过循环伏安电沉积法在所述三维SiO₂纳米球阵列的间隙中沉积还原氧化石墨烯、二硫化钼和纳米金的复合膜。

4.根据权利要求3所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于所述循环伏安电沉积法中的电解液是含有氧化石墨烯、(NH₄)₂MoS₄和HAuCl₄·4H₂O的KCl溶液。

5.根据权利要求2-4之一所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于步骤（1）中在金片电极表面形成三维SiO₂纳米球阵列的方法如下：将金片电极插入SiO₂分散液中，溶剂蒸发后，在电极表面形成三维SiO₂纳米球阵列，然后煅烧。

6.根据权利要求1所述定量检测赭曲霉毒素A的电化学适配体传感器，其特征在于所述捕获探针1、捕获探针2和赭曲霉毒素A适配体的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:1-3所示，所述捕获探针1的5’端修饰有巯基。

7.采用权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器检测赭曲霉毒素A的方法，包括如下步骤：将样品溶液滴加至权利要求1-6之一所述电化学适配体传感器的工作电极表面进行反应，滴加信号探针进行孵化；将所述工作电极、对电极和参比电极置于电解液中，采用差分脉冲伏安法，获得峰电流的变化值；根据以峰电流的变化值为应变量、赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量的标准曲线，计算赭曲霉毒素A溶液的浓度。

8.根据权利要求7所述方法，其特征在于制作标准曲线的方法如下：将浓度在1fg/mL-0.1 μg/mL范围内的赭曲霉毒素A溶液，滴加到工作电极表面进行反应，滴加信号探针进行孵化；将电化学适配体传感器的工作电极、对电极和参比电极置于电解液中，采用差分脉冲伏安法，获得峰电流；以峰电流的变化值为应变量、以赭曲霉毒素A浓度的对数值为自变量，制作标准曲线。

9.根据权利要求7-8所述方法，其特征在于所述信号探针是将信号探针1和信号探针2核苷酸链固定在AuNPs-Fe₃O₄@C上得到的，所述信号探针1和信号探针2的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:4和SEQ ID NO:5所示，所述信号探针1的5’端修饰巯基、3’端修饰亚甲基蓝，所述信号探针2的5’端修饰亚甲基蓝、3’端修饰巯基。

10.根据权利要求9所述方法，其特征在于所述AuNPs-Fe₃O₄@C是在Fe₃O₄@C表面包裹了一层纳米金后得到的。