[发明专利]一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构在审
| 申请号： | 202010012682.3 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN110965119A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 史珺;宗卫峰 | 申请（专利权）人： | 浙江普智能源装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州伍博专利代理事务所(普通合伙) 33309 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 铸造 坩埚 石墨 平台 结构 | ||
1.一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构，其特征是，该石墨平台包括一个底面(3)、一个顶面(1)和四个侧面(2)，所述底面(3)和顶面(1)的形状均为大小一致的正方形，所述侧面(2)的形状均为长方形，所述顶面(1)的边长与侧面(2)的长边一致，所述侧面(2)的长边大于侧面(2)的宽边，所述的底面(3)上设有一个凹陷结构(4)，所述凹陷结构(4)的开口部边缘形状为正方形且该正方形的中心与底面(3)的中心重合，所述凹陷结构(4)的形状为曲面，所述的曲面由两个正交的圆柱面构成。
2.根据权利要求1所述的一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构，其特征是，所述的凹陷结构(4)具有如下的尺寸关系：D＝k1 L，R＝k12 L2/(8k2 H)+k1H/2，其中：L表示底面(3)的边长，H表示侧面(2)的宽边，D表示凹陷结构(4)的开口部边缘的边长，R为凹陷结构(4)的曲面半径，k1和k2均为0～1之间的常数，k1的值与平台的热传导率和设定的晶体生长速度有关，k2的值与平台和坩埚的相对大小有关。
3.根据权利要求2所述的一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构，其特征是，所述k1的值为0.5～0.9，所述k2的值为0.2～0.9。
4.根据权利要求3所述的一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构，其特征是，所述k1的值为0.6～0.7，所述k2的值为0.6～0.8。
5.根据权利要求1所述的一种用于铸造单晶的坩埚石墨平台结构，其特征是，所述凹陷结构(4)中的两个圆柱面均通过离散化设计形成若干个离散化台阶(5)，所述离散化台阶(5)的数量为5个以上。
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