[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：

第一掩埋区；

沟道层，所述沟道层覆盖在所述第一掩埋区上面；

栅极电极；以及

漏极电极，所述漏极电极覆盖在所述第一掩埋区上面，

其中所述第一掩埋区朝向所述栅极电极延伸并且不在所述栅极电极下面。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一掩埋区包括p型半导体材料。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述高电子迁移率晶体管还包括源极电极以及在所述源极电极下面的第二掩埋区。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中：

所述高电子迁移率晶体管是双向晶体管，

所述漏极电极是用于所述双向晶体管的漏极/源极电极，并且

所述源极电极是用于所述双向晶体管的源极/漏极电极。

5.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述第二掩埋区包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分在所述栅极电极下面，并且比所述第二部分更厚，并且：

所述源极电极比起所述第一部分更靠近所述第二部分，或者

所述漏极电极比起所述第一部分更靠近所述第二部分。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述沟道层的一部分覆盖在所述第二掩埋区的所述第一部分上面，并且所述沟道层的所述一部分的厚度在20nm至95nm的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述第一掩埋区和所述栅极电极之间的横向间距为：

y≥7.5(x)+0.3，

其中，

y是所述第一掩埋区和所述栅极电极之间的所述横向间距，以微米为单位，并且

x是所述高电子迁移率晶体管的额定电压，其中所述额定电压以kV为单位。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述高电子迁移率晶体管为增强型晶体管，

所述高电子迁移率晶体管还包括缓冲层、源极电极和阻挡层，

所述第一掩埋区包括p型半导体材料，

所述缓冲层在所述沟道层下面，具有与所述沟道层相同的基础半导体材料，并且与所述沟道层相比具有更高的掺杂物浓度，

所述沟道层和所述第一掩埋区包含Al_xGa_(1-x)N，其中0≤x≤0.1，

所述第一掩埋区覆盖在所述缓冲层的一部分而不是全部上面，

所述阻挡层覆盖在所述沟道层上面并且在所述栅极电极下面，其中所述阻挡层包含Al_yGa_(1-y)N，其中0y≤1并且其中yx，

所述漏极电极的第一部分延伸穿过所述阻挡层并且接触所述第一掩埋区，并且所述漏极电极的第二部分在所述阻挡层上方延伸并且接触所述阻挡层，并且

所述源极电极覆盖在所述阻挡层上面并且接触所述阻挡层而且与所述沟道层间隔开。

9.一种电子器件，包括：

高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：

第一掩埋区；

沟道层，所述沟道层覆盖在所述第一掩埋区上面；

栅极电极，所述栅极电极覆盖在所述沟道层上面；

p型半导体构件，所述p型半导体构件覆盖在所述沟道层上面并且设置在所述栅极电极和漏极电极之间；以及

漏极电极，所述漏极电极覆盖在所述第一掩埋区上面，其中所述漏极电极、所述第一掩埋区和所述p型半导体构件在节点处彼此连接。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中所述第一掩埋区包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分比所述第二部分更厚，并且所述漏极电极比起所述第一部分更靠近所述第二部分。