[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(Fin FET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨鳍部的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。

然而，随着半导体器件的尺寸缩小，器件密度的提高，所形成的鳍式场效应晶体管的性能不稳定。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，从而提高半导体器件的使用性能。

为解决上述问题，本发明提供半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。

可选的，所述醇为异丙醇或乙醇或1,6-己二醇。

可选的，所述刻蚀液中还包括碱性水溶液。

可选的，所述碱性水溶液为碱性溶液与水的混合液，所述碱性溶液为 NH₄OH碱性溶液或TMAH碱性溶液或EDA碱性溶液或KOH碱性溶液。

可选的，所述碱性溶液的体积与所述水的体积比范围为1:1～1:80。

可选的，所述碱性溶液的体积与所述醇的体积比范围为1:1～1:5。

可选的，去除所述无定形硅层之前，还包括：对所述无定形硅层进行热处理。

可选的，所述热处理为高温退火处理。

可选的，所述湿法刻蚀工艺采用的温度范围为25℃～80℃。

可选的，在形成所述隔离件之前，还包括：在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：