[发明专利]一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法

说明书

本申请公开了钝化接触晶体硅太阳能电池制作方法：在硅片的正面形成扩散层；在硅片的背面和扩散层背离硅片的表面分别形成氧化层，并在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层；对位于背面的多晶硅层进行扩散，形成掺杂型多晶硅层；用酸混合液去除位于正面的氧化层和多晶硅层，酸混合液包括氢氟酸、硝酸、硫酸；去除在形成扩散层和形成掺杂型多晶硅层时产生的掺杂型玻璃层；在扩散层背离硅片的表面形成第一钝化层；在掺杂型多晶硅层背离硅片的表面形成第二钝化层；在第一钝化层背离扩散层的表面形成第一电极，在第二钝化层背离掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。该方法工艺简单、不需添加剂，且提升电池效率和良率。本申请还提供具有上述优点的电池。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法。

背景技术

随着光伏行业的发展，无论是企业还是客户对太阳能电池的要求越来越高，提升太阳能电池的效率成为不断追求的目标。钝化接触结构由一层隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成，具有该结构的钝化接触太阳能电池可以显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升太阳能电池的效率。

在钝化接触太阳能电池制作过程中，去绕镀是一个十分重要的步骤，去绕镀不干净或者过刻会严重影响电池的外观和良率。现有技术中在去绕镀时，一般采用添加有添加剂的碱溶液进行去绕镀，其中，添加剂为有机表面活性剂或者硅酸盐类物质。首先，磷扩散后的硅片经过链式单面HF刻蚀设备，去除正面PSG；再进槽式设备进行碱去绕镀，该工艺过程需要使用添加剂对电池背面的PSG进行保护。过程复杂，由于添加剂的使用，成本增加，同时对后续管道清洗造成一定压力，并且添加剂清洗不干净严重影响电池的效率和良率。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种钝化接触晶体硅太阳能电池及其制作方法，以简化太阳能电池的工艺流程，降低制作成本，同时提升电池的效率和良率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种钝化接触晶体硅太阳能电池制作方法，包括：

在硅片的正面形成扩散层；

在所述硅片的背面和所述扩散层背离所述硅片的表面分别形成氧化层，并在所述氧化层背离所述硅片的表面形成多晶硅层；

对位于所述背面的所述多晶硅层进行扩散，形成掺杂型多晶硅层；

利用酸混合液去除位于所述正面的氧化层和所述多晶硅层，其中，所述酸混合液包括氢氟酸、硝酸、硫酸；

去除在形成所述扩散层时和形成所述掺杂型多晶硅层时产生的掺杂型玻璃层；

在所述扩散层背离所述硅片的表面形成第一钝化层；

在所述掺杂型多晶硅层背离所述硅片的表面形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述掺杂型多晶硅层的表面形成第二电极。

可选的，所述酸混合液中氢氟酸、硝酸、硫酸的体积比范围为1:5:5至1:25:25，包括端点值。

可选的，在去除在形成所述扩散层时和形成所述掺杂型多晶硅层时产生的掺杂型玻璃层之后，还包括：

对去除所述掺杂型玻璃层的硅片进行RCA清洗。

可选的，在硅片的正面形成扩散层之前，还包括：

对所述硅片进行制绒处理。

可选的，在所述硅片的背面和所述扩散层背离所述硅片的表面形成氧化层包括：

采用热氧化法，在所述硅片的背面和所述扩散层背离所述硅片的表面分别形成氧化层。