[发明专利]OLED面板、其蒸镀方法和其掩膜版组在审
申请号: | 202010008432.2 | 申请日: | 2020-01-06 |
公开(公告)号: | CN111155055A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 杜骁;孔香植;李们在 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 方法 掩膜版组 | ||
1.一种OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述OLED面板包括具有摄像区的显示区,所述掩膜版组包括:
第一掩膜版,包括共通掩膜开口区,所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区;以及
第二掩膜版,包括异型掩膜开口区,所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
2.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述掩膜版组还包括第三掩膜版,所述第三掩膜版包括精密掩膜区,所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区,所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
3.根据权利要求2所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述第三掩膜版还包括第三掩膜版遮蔽区和第三掩膜框架,所述精密掩膜区和所述第三掩膜版遮蔽区交替排列,所述第三掩膜框架承载所述第三掩膜版遮蔽区,所述精密掩膜区的边界大于所述显示区的边界。
4.根据权利要求3所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述精密掩膜区的所述边界向所述显示区的所述边界扩展5~500μm。
5.根据权利要求2所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述第一掩膜版的厚度、所述第二掩膜版的厚度和所述第三掩膜版的厚度均为0.01~0.2mm。
6.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述第一掩膜版还包括第一掩膜版遮蔽区和第一掩膜框架,所述共通掩膜开口区和所述第一掩膜版遮蔽区交替排列,所述第一掩膜框架承载所述第一掩膜版遮蔽区,所述共通掩膜开口区的面积大于整个所述显示区的面积。
7.根据权利要求6所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述共通掩膜开口区的大小向所述显示区的所有边界扩展5~500μm。
8.根据权利要求1所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述第二掩膜版还包括第二掩膜版遮蔽区和第二掩膜框架,所述异型掩膜开口区和所述第二掩膜版遮蔽区交替排列,所述第二掩膜框架承载所述第二掩膜版遮蔽区,所述异型掩膜开口区的三个边界大于所述显示区的三个边界。
9.根据权利要求8所述的OLED面板的掩膜版组,其特征在于,所述异型掩膜开口区的所述三个边界向所述显示区的所述三个边界扩展5~500μm。
10.一种OLED面板的蒸镀方法,其特征在于,包括:
在同一基板上依照不同顺序使用第一掩膜版和第二掩膜版进行OLED面板的阴极的第一蒸镀制程和第二蒸镀制程,所述第一掩膜版包括共通掩膜开口区,所述共通掩膜开口区的大小覆盖整个所述显示区,所述第二掩膜版包括异型掩膜开口区,所述异型掩膜开口区的大小覆盖除所述摄像区的所有所述显示区。
11.根据权利要求10所述的OLED面板的蒸镀方法,其特征在于,还包括:进行所述第一蒸镀制程和所述第二蒸镀制程后,使用第三掩膜版进行所述OLED面板的所述阴极的第三蒸镀制程,所述第三掩膜版包括精密掩膜区,所述精密掩膜区的大小覆盖整个所述摄像区,所述精密掩膜区的开口与所述摄像区的像素开口相对应。
12.根据权利要求11所述的OLED面板的蒸镀方法,其特征在于,所述第一蒸镀制程包括使用所述第一掩膜版使所述OLED面板的具有摄像区的显示区全面蒸镀具有第一厚度的第一阴极;所述第二蒸镀制程包括使用所述第二掩膜版使所述OLED面板的除所述摄像区的所有所述显示区蒸镀具有第二厚度的第二阴极,使所述摄像区的阴极厚度小于除所述摄像区的所有所述显示区的阴极厚度;所述第三蒸镀制程包括使用所述第三掩膜版使所述OLED面板的所述摄像区的像素开口蒸镀具有第三厚度的第三阴极。
13.根据权利要求12所述的OLED面板的蒸镀方法,其特征在于,所述第一蒸镀制程的顺序早于所述第二蒸镀制程。
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