[发明专利]场效应晶体管及其制备方法在审

申请号：	202010008253.9	申请日：	2020-01-02
公开（公告）号：	CN111162118A	公开（公告）日：	2020-05-15
发明（设计）人：	王超;付博;方华斌;李向光	申请（专利权）人：	歌尔股份有限公司
主分类号：	H01L29/10	分类号：	H01L29/10;H01L29/24;H01L29/06;H01L23/15;H01L29/78;H01L21/34;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287	代理人：	胡海国
地址：	261031 山东省潍***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	场效应晶体管及其制备方法
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【说明书】：

本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，包括衬底、栅极、和介电层、有源层、漏极和源极；所述栅极镀在所述衬底表面，所述介电层涂在所述栅极上表面，所述有源层形成于所述介电层表面，所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧；所述衬底的材质是玻璃，所述有源层的材质是金属氧化物纳米纤维。所述场效应晶体管通过使用玻璃材质的衬底提高了场效应晶体管的透明度，并通过金属氧化物纳米纤维的有源层缩小了场效应晶体管的尺寸。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管及其制备方法。

背景技术

场效应晶体管是集成电路的重要组成部分，当前集成电路操作集成度高、尺寸小的方向发展，也对场效应晶体管的尺寸提出了新的要求和挑战。并且应用于液晶显示器中的场效应晶体管需要具有良好的透光率。但是传统的非晶硅场效应晶体管尺寸大、不具备透明性透光率不高。

发明内容

本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，旨在提高场效应晶体管的透明度，并缩小场效应晶体管的尺寸。

为实现上述目的，本发明提供一种场效应晶体管，包括衬底、栅极、和介电层、有源层、漏极和源极；

所述栅极镀在所述衬底表面，所述介电层涂在所述栅极上表面，所述有源层形成于所述介电层表面，所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧；

所述衬底的材质是玻璃，所述有源层的材质是金属氧化物纳米纤维。

优选地，所述金属氧化物纳米纤维包括氧化铟纳米纤维或氧化锡纳米纤维。

优选地，所述栅极的材质是氧化铟锡ITO，所述介电层的材质是氧化锆ZrO₂、所述漏极和所述源极的材质是ITO。

优选地，所述衬底的厚度为0.1-1mm；所述栅极的厚度为150-250nm；所述有源层的厚度为50-120nm；所述介电层的厚度为50-100nm；所述漏极的厚度为150-250nm；所述源极的厚度为150-250nm。