[发明专利]纠错码的判决信息的产生方法和装置

说明书

本发明公开了一种纠错码的判决信息的产生方法和装置。该方法包括：确定存储单元所在的状态区间；根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。该装置位于与存储器连接的存储控制器中，该装置包括：状态区间确定单元，用于确定存储单元所在的状态区间；查表判决单元，用于根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。这种方法和装置提高了存储控制器判决信息精度，使之能较准确地反映不同比特位在不同状态区间的可靠度，从而提升LDPC码的译码性能。

技术领域

本发明涉及存储器技术，尤其涉及一种纠错码的判决信息的产生方法和装置。

背景技术

硬判决是存储控制器比如闪存(flash memory)控制器中一种非常重要的信号判决及估计方法，通过将读取的门限电压与各个相邻状态区间之间的硬判决电平进行比较，从而得知该门限电压所在的状态区间。传统上，硬判决得到的各个比特的对数似然比(LLR，log-likelihood ratio)值的模是相同的，对于任意一个判决区间内的所有比特都赋予相同的LLR模值，这也不是最好的LLR解决方案。对于采用低密度奇偶校验(LDPC，Low-densityParity-check)码的控制器，由于LDPC码译码器是软译码器，所以传统方法无法充分发挥LDPC码的纠错能力。目前，有涉及软判决下的LLR获取方法的现有技术，公开了如何配置软判决参考电平等问题，但是没有涉及到硬判决时该如何优化LLR的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种纠错码的判决信息的产生方法和装置，通过查找判决信息查找表为判决得到的各个比特赋上判决信息值，以提高存储控制器判决获得的判决信息精度。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一方面，本公开提出一种纠错码的判决信息的产生方法。所述纠错码的硬判决信息的产生方法包括：确定存储单元所在的状态区间；根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入。

可选地，对于所述纠错码的判决信息的产生方法，确定存储单元所在的状态区间包括：根据从存储单元读出的门限电平确定所述存储单元所在的状态区间。

可选地，对于所述纠错码的判决信息的产生方法，根据从存储单元读出的门限电平确定所述存储单元所在的状态区间包括：获取存储器至少一个存储单元当前的门限电平；将获取的至少一个存储单元当前的门限电平与对应存储单元的参考电压作比较，得到所述存储单元所在的状态区间。

可选地，对于所述纠错码的判决信息的产生方法，确定存储单元所在的状态区间包括：根据存储单元输出的比特信息确定所述存储单元所在的状态区间。

可选地，对于所述纠错码的判决信息的产生方法，根据所述存储单元所在的状态区间，查表得到所述存储单元存储的各个比特的判决信息，作为译码器的输入，包括：访问与存储器连接的存储控制器中的判决信息查找表，判决信息查找表包括各个状态区间分别对应的判决信息，状态区间对应的判决信息表示存储单元存储的各个比特是0或1的可靠度；将所述存储单元所在的状态区间对照所述判决信息查找表，得到所述存储单元各个比特所在的状态区间对应的判决信息；将得到的判决信息输出供译码器使用。

可选地，对于所述的纠错码的判决信息的产生方法，所述判决信息查找表为对数似然比查找表。

可选地，对于所述的纠错码的判决信息的产生方法，所述判决信息查找表通过以下方法预先生成：获取存储器各个存储单元处于各个状态区间时的电压分布；根据比特与状态区间的映射关系，依据对数似然比的定义，离线计算存储器各个存储单元的各个比特在各个状态区间对应的对数似然比；根据译码器的输入位宽，计算对数似然比的定点化的整数值。

可选地，对于所述纠错码的判决信息的产生方法，所述判决信息查找表在存储控制器生产过程中或生产完成后被导入。