[发明专利]一种全固态绝缘透波PVD膜层及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010006682.2 | 申请日: | 2020-01-03 |
公开(公告)号: | CN111057996B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 彭长明;蔡明 | 申请(专利权)人: | 创隆实业(深圳)有限公司;华为技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 固态 绝缘 pvd 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明属于PVD溅射技术领域,公开了一种全固态绝缘透波PVD膜层及其制备方法和应用。本发明的的全固态绝缘透波PVD膜层包括Si‑M‑N层;任选地,所述Si‑M‑N层上还有Si‑M‑C层或/和L‑O层,Si‑M‑N层作为打底层;其中,所述M为钨或铬或钛,L为硅、钛、铝、铬或锆;制备方法包括以下步骤:(1)将基材进行液态清洗;(2)放置于磁控溅射镀膜机内预抽真空;(3)在磁控溅射镀膜机内进行辉光清洗;(4)在磁控溅射镀膜机内进行膜层沉积;(5)在真空状态下冷却至室温,出炉。本发明工艺中涂层材料整体具备优良的绝缘性能,同时其本身并非常规电介质涂层的可见光波段透明,而是呈现其本征颜色,可在异质基材上呈现一体化装饰效果。
技术领域
本发明涉及PVD溅射技术领域,具体是涉及一种全固态绝缘透波PVD膜层及其制备方法和应用。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。传统PVD技术是金属产品表面及无机材料(玻璃,陶瓷,蓝宝石等)表面的常规表面处理技术。应用于金属或金属化合物与无机材料(陶瓷,玻璃,蓝宝石等)一体基材时,由于金属表面和无机材料表面的物理性质截然不同,且鉴于外观一致的装饰性及可靠性要求,同一常规工艺难以同时在金属和无机材料表面上进行处理,除此之外,工件因其信号传递因素需要所沉积之薄膜具备优良的绝缘介电性能。
而且,随着目前通信技术发展,电磁信号传播频率越来越高,传统的PVD表面处理技术多为良导体,无法满足目前新型终端产品对于通讯的要求。使用常规异质材料基材之装饰性PVD涂层工艺,由于基本为良导体涂层,会造成电磁信号极大损耗,无法做到整体膜层具备优良的绝缘透波性能;使用常规异质材料基材之绝缘PVD涂层工艺,由于绝缘材料一般为透明或半透明材料,无法在异质基材上获得统一一致的装饰效果,除此之外,整体绝缘膜系的可靠性(附着力,使用寿命等)优化空间小,往往无法兼顾。
发明内容
本发明的目的是为了克服上述背景技术的不足,提供一种全固态绝缘透波PVD膜层及其制备方法和应用,本发明的涂层材料整体具备优良的绝缘性能,同时其本身并非常规电介质涂层的可见光波段透明,而是呈现其本征颜色,可在异质基材上呈现一体化装饰效果,这种涂层通过PVD溅射技术实现沉积,其主要特点在于膜层材料的选择,也可以通过CVD方法实现。
为达到本发明的目的,本发明的全固态绝缘透波PVD膜层包括Si-M-N层;任选地,所述Si-M-N层上还有Si-M-C层或/和L-O层,Si-M-N层作为打底层;其中,所述M为钨或铬或钛,L为硅、钛、铝、铬或锆。
进一步地,所述Si-M-N层中Si、M、N的原子比为5:1~2:7~10;所述Si-M-C层中Si、M、C的原子比为5:1~2:10~15;所述L-O层中氧原子占总原子比例大于或等于0.5;优选地,所述Si-M-N层中Si、M、N的原子比为5:1:7;所述Si-M-C层中Si、M、C的原子比为5:1:10;所述L-O层中氧原子占总原子比例等于0.5。
进一步地,所述Si-M-N层为灰色,Si-M-C层为黑色,L-O层为黄色、紫色、蓝色或绿色。
本发明还提供了一种所述全固态绝缘透波PVD膜层制备方法,所述方法包括以下步骤:
(1)将基材在自动化清洗线上完成液态清洗;
(2)将经步骤(1)处理后的基材放置于磁控溅射镀膜机内预抽真空;
(3)将经步骤(2)处理后的基材在磁控溅射镀膜机内进行辉光清洗;
(4)将经步骤(3)处理后的基材在磁控溅射镀膜机内进行膜层沉积;
(5)将经步骤(4)进行膜层沉积后的基材在真空状态下冷却至室温,出炉;
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