[发明专利]阵列基板、其制作方法及显示面板

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供基板，并在所述基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层薄膜以及在所述栅极上方的图案化刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成图案化源漏极；以图案化的所述源漏极为掩膜对所述有源层薄膜进行刻蚀以形成有源层，而使所述源漏极与所述有源层中远离所述刻蚀阻挡层的外侧边缘，自我对准；以及，在所述源漏极上依次形成钝化层和图案化的像素电极，以形成所述阵列基板。本发明减少了一次掩膜工艺，简化了工艺流程，避免了有源层形成过程中表面受损，降低有源层与ESL之间层界面缺陷，从而提升显示面板的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。

背景技术

目前，液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)和电致发光(EL，electroluminescence)显示面板等显示装置已广泛地进入到人们的生活中。在这些显示装置中，薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)起着控制各像素开关的作用。其中金属氧化物TFT因其具有大尺寸、高帧率处理能力和在可见光范围内穿透率高等显著优点，而在有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)等领域具有广阔的应用前景。

其中刻蚀阻挡型金属氧化物TFT有刻蚀阻挡层(ESL)的保护，因而呈现出较好的稳定性，已实现量产。然而刻蚀阻挡型金属氧化物TFT虽然避免了源/漏极背沟道刻蚀对有源层的损伤，但是所用Mask较多，且有源层与ESL层界面缺陷并未改善。

故如何避免有源层表面受损，降低有源层与ESL层界面缺陷，从而提升显示装置的显示品质，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板。

一方面，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：

提供基板，并在所述基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层薄膜以及在所述栅极上方的图案化刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上形成图案化源漏极；

以图案化的所述源漏极为掩膜对所述有源层薄膜进行刻蚀以形成有源层，而使所述源漏极与所述有源层中远离所述刻蚀阻挡层的外侧边缘，自我对准；以及，

在所述源漏极上依次形成钝化层和图案化的像素电极，以形成所述阵列基板。

根据本发明的一优选实施例，所述步骤还包括：形成所述栅极的同时，还形成第一电极。

根据本发明的一优选实施例，所述有源层薄膜的材料包括IGZO、IGZTO和IZO中的至少一种。

根据本发明的一优选实施例，所述步骤还包括：

在所述有源层薄膜上形成刻蚀阻挡层薄膜；

对所述刻蚀阻挡层薄膜进行图案化以形成所述刻蚀阻挡层。

根据本发明的一优选实施例，所述步骤还包括：形成所述源漏极的同时，还形成第二电极。

根据本发明的一优选实施例，所述步骤还包括：

在所述源漏极上形成钝化层薄膜；

对所述钝化层薄膜进行图案化处理，包括形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔暴露漏极部分上表面，所述第二过孔暴露所述第一电极部分上表面；以及，

在钝化层上形成像素电极薄膜，进行图案化处理以形成断续的所述像素电极，其中，所述像素电极通过第一过孔与所述漏极搭接，并通过所述第二过孔与所述第一电极搭接。

另一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括：