[发明专利]垂直电容器结构、电容器组件，以及制造所述垂直电容器结构的方法

权利要求书

1.一种垂直电容器结构，其包括：

衬底，其界定腔；

至少一个支柱，其位于所述腔中；

第一导电层，其覆盖所述衬底的所述腔和所述支柱并与之共形，其中所述第一导电层与所述衬底绝缘；

第一介电层，其覆盖所述第一导电层并与之共形；

第二导电层，其覆盖所述第一介电层并与之共形，其中所述第一导电层、所述第一介电层和所述第二导电层共同形成电容器组件。

2.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述衬底包含位于所述腔中并覆盖所述腔的绝缘层，且所述第一导电层覆盖所述绝缘层，使得所述第一导电层与所述衬底绝缘。

3.根据权利要求2所述的垂直电容器结构，其中所述支柱立于所述绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述支柱呈截短锥形状。

5.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述支柱向上逐渐变细。

6.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述支柱的材料不同于所述衬底的材料。

7.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述电容器组件的截面大体上为蛇形形状。

8.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述电容器组件具有至少一个第一部分和第二部分，所述至少一个第一部分位于所述支柱上且呈截短中空锥形状，所述第二部分从所述第一部分的下边缘延伸且位于所述衬底的所述腔的底部表面上。

9.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述电容器组件进一步具有第三部分，其从所述第二部分的边缘延伸且位于所述衬底的所述腔的侧表面上。

10.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述衬底具有上表面，所述腔从所述衬底的所述上表面凹入，且所述第一导电层进一步位于所述衬底的所述上表面上。

11.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述衬底具有上表面，所述腔从所述衬底的所述上表面凹入，且所述第一介电层进一步位于所述上表面上。

12.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述衬底具有上表面，所述腔从所述衬底的所述上表面凹入，且所述第二导电层进一步位于所述上表面上。

13.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其进一步包括介电结构，其位于所述电容器组件上并覆盖所述电容器组件。

14.根据权利要求13所述的垂直电容器结构，其中所述介电结构位于所述腔中以及所述衬底的上表面上。

15.根据权利要求1所述的垂直电容器结构，其中所述支柱的侧表面与所述腔的底部表面之间的角度在约91度到约95度的范围内。

16.一种电容器组件，其包括：

第一导电层；

第一介电层，其覆盖所述第一导电层并与之共形；以及

第二导电层，其覆盖所述第一介电层并与之共形；

其中所述电容器组件具有至少一个第一部分和第二部分，所述至少一个第一部分呈截短中空锥形状，所述第二部分从所述第一部分的下边缘延伸且呈大体上平面形状。

17.根据权利要求16所述的电容器组件，其中所述第一部分和所述第二部分的相交角度在约91度到约95度的范围内。

18.根据权利要求16所述的电容器组件，其中所述电容器组件的电容密度大于约70nF/mm²。