[发明专利]一种光电传感器和显示面板在审
| 申请号: | 202010003207.X | 申请日: | 2020-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN111162131A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 蔡俊飞 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/105;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
| 地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电 传感器 显示 面板 | ||
本发明实施例公开了一种光电传感器和显示面板,光电传感器包括:光电二极管;光电二极管包括第一电极、PIN结构层和第二电极,PIN结构层包括P型半导体层、N型半导体层和P型半导体层和N型半导体层之间的I型半导体层,第一电极与P型半导体层电连接,第二电极与N型半导体层电连接;还包括至少位于光电二极管不同侧的第一结构层和第二结构层,第一结构层包括具备透光和反光作用的结构层,第二结构层包括反光结构层。本发明的技术方案,可以使得光电二极管的光作用时间延长,因此光生电流积累时间延长,光电流增大,提高光电转换效率。
技术领域
本发明实施例涉及光电传感技术领域,尤其涉及一种光电传感器和显示面板。
背景技术
光电传感器作为光电探测器能检测出入射在其上面的光功率,并完成光电信号的转换,在指纹识别等领域使用广泛。
现有光电传感器中,通常包括光电二极管,光电二极管的结构通常为在PN结中设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I),即PIN光电传感器。
然而,现有光电传感器存在光电转换效率不高,光电流小的问题。
发明内容
本发明提供一种光电传感器和显示面板,以实现提高光电传感器的光电转换效率,提高光电流。
第一方面,本发明实施例提供了一种光电传感器,包括:光电二极管;光电二极管包括第一电极、PIN结构层和第二电极,PIN结构层包括P型半导体层、N型半导体层和P型半导体层和N型半导体层之间的I型半导体层,第一电极与P型半导体层电连接,第二电极与N型半导体层电连接;
还包括至少位于光电二极管不同侧的第一结构层和第二结构层,第一结构层包括具备透光和反光作用的结构层,第二结构层包括反光结构层。
可选的,第一结构层位于光电二极管的第一侧,第二结构层位于光电二极管的第二侧,第一侧和第二侧为光电二极管相对的两侧。
可选的,第一结构层位于PIN结构层的第一表面,第二结构层位于PIN结构层的第二表面;第一电极位于PIN结构层的第三表面,第二电极位于PIN结构层的第四表面,第一表面连接第三表面和第四表面,第二表面连接第三表面和第四表面。
可选的,PIN结构层还包括相对的第五表面和第六表面,第五表面与第六表面的垂直距离小于第一表面与第二表面的垂直距离;
可选的,第五表面和第六表面设置有反光结构层。
可选的,第一结构层包括第一透明绝缘层和镁银合金层,第一透明绝缘层位于镁银合金层与PIN结构层之间。
可选的,第一结构层为微纳米结构层,微纳米结构层包括第一透明介质层和第二透明介质层,第一透明介质层设置于第二透明介质层远离PIN结构层的一侧,第一透明介质层与第二透明介质层相互嵌合,且第一透明介质层和第二透明介质层相互嵌合的表面均具有多个锥状结构;第一透明介质层的折射率n1小于第二透明介质层的折射率n2,沿第一结构层厚度方向上锥状结构截面三角形的两个底角角度均大于
可选的,第二结构层包括第二透明绝缘层和银金属层,第二透明绝缘层位于银金属层和PIN结构层之间。
可选的,第二结构层为微纳米结构层,微纳米结构层包括第三透明介质层和第四透明介质层,第三透明介质层设置于第四透明介质层远离PIN结构层的一侧,第三透明介质层与第四透明介质层相互嵌合,且第三透明介质层和第四透明介质层相互嵌合的表面均具有多个锥状结构;第三透明介质层的折射率n3小于第四透明介质层的折射率n4,沿第二结构层厚度方向上锥状结构截面三角形的两个底角角度均大于
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,该显示面板包括第一方面提供的光电传感器。
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