[发明专利]一种基于激光纳米加工技术的垂直互连基板及其制造方法

权利要求书

1.一种基于激光纳米加工技术的垂直互连基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一基板，所述基板包括LCP基材及覆于所述LCP基材两侧的第一金属层和第二金属层；

S2：将所述第一金属层通过介质层光刻、腐蚀、去胶，形成第一电路布线层；

S3：根据通孔在所述第一电路布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔，所述盲孔的底部与所述第二金属层相连，清除所述盲孔内残屑和氧化层，并对所述盲孔的孔壁进行活化处理；

S4：在所述第二金属层上预留电沉积触点后，对所述第二金属层的剩余区域通过设置介质层进行保护；

S5：将所述基板置于电沉积液中进行电沉积，直至所述盲孔填充满，所述盲孔内形成实心金属通柱；

S6：将所述第一电路布线层通过设置介质层进行保护；

S7：将所述第二金属层通过介质层光刻、腐蚀、去胶，形成第二电路布线层，所述第一电路布线层与所述第二电路布线层通过所述实心金属通柱垂直互连；

S8：除去所述第一电路布线层上的保护介质；

所述步骤S3中的采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔进一步包括如下步骤：

S311：通过介质层光刻、腐蚀、去胶将所述盲孔对应位置处的位于所述第一电路布线层上的金属除去；

S312：采用激光将所述盲孔对应位置处的LCP基材烧蚀除去，并保留所述盲孔对应位置处的所述第二金属层上的金属；

所述基板上设有镂空的对准标记，用于确保所述第一电路布线层与所述第二电路布线层之间的通孔互连精度。

2.根据权利要求1所述的基于激光纳米加工技术的垂直互连基板制造方法，其特征在于，所述步骤S3中的采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔，所述盲孔的尺寸与布线 的宽度和间距相匹配。

3.一种基于激光纳米加工技术的垂直互连基板制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一基板，所述基板包括LCP基材及覆于所述LCP基材两侧的第一金属层和第二金属层；

S2：根据通孔在所述第一金属层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔，所述盲孔的底部与所述第二金属层相连，清除所述盲孔内残屑和氧化层，并对所述盲孔的孔壁进行活化处理；

S3：在所述第二金属层上预留电沉积触点后，对所述第二金属层的剩余区域通过设置介质层进行保护；

S4：将所述基板置于电沉积液中进行电沉积，直至所述盲孔填充满，所述盲孔内形成实心金属通柱；

S5：将所述第一金属层及所述第二金属层通过介质层光刻、腐蚀、去胶，在所述第一金属层上形成第一电路布线层，在所述第二金属层上形成第二电路布线层，所述第一电路布线层与所述第二电路布线层通过所述实心金属通柱垂直互连；

所述步骤S2中的采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔进一步包括如下步骤：

S211：通过介质层光刻、腐蚀、去胶将所述盲孔对应位置处的位于所述第一金属层上的金属除去；

S212：采用激光将所述盲孔对应位置处的LCP基材烧蚀除去，并保留所述盲孔对应位置处的所述第二金属层上的金属；

所述基板上设有镂空的对准标记，用于确保所述第一电路布线层与所述第二电路布线层之间的通孔互连精度。

4.根据权利要求3所述的基于激光纳米加工技术的垂直互连基板制造方法，其特征在于，所述步骤S2中的采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设盲孔，所述盲孔的尺寸与布线 的宽度和间距相匹配。